Входная емкость - транзистор
Cтраница 3
Однако в этой схеме образуется контур, состоящий из катушки связи, емкостей монтажа и входной емкости транзистора. Его резонансная частота может оказаться в пределах принимаемого поддиапазона, что приведет к большой неравномерности коэффициента передачи, или в диапазоне зеркальных частот, что ухудшит избирательность по зеркальному каналу. [31]
Быстродействие мощного МДП-транзистора, имеющего большую емкость затвора, в значительной степени определяется длительностью перезаряда входной емкости транзистора. [32]
Из входной цепи транзистора в колебательный контур вносится отрицательная емкость - m22CBX, где Свх - входная емкость транзистора. В схеме рис. 2.7 применена емкостная связь контура со входом транзистора, и поэтому L LK, m2 я С / ( С3 Свх), где С - полная емкость контура. [33]
 |
Мощный МДП-транзистор в ключевом режиме по схеме с общим истоком ( а и с общим стоком ( б. [34] |
Если же основное требование к ключу на мощном МДП-транзисторе - максимальное быстродействие, то необходимость повышения скорости перезаряда входной емкости транзистора усложняет цепь управления. Это усложнение обычно сводится к постановке между ИС и входом транзистора дополнительных эмиттерных повторителей, которые усиливают выходной ток ИМС и ускоряют перезаряд входной емкости МДП-транзистора. [35]
Формула (2.56) определяет такую длину / короткозамкну-той на конце линии, при которой входная цепь настроена в резонанс на частоту принимаемых сигналов с учетом входной емкости транзистора Свх. [36]
С - С к - m C - гп Съ - - емкость колебательного контура, которая зависит от та и т2) так как через эти коэффициенты в колебательный контур пересчитываются выходная емкость транзистора данного каскада и входная емкость транзистора следующего каскада. [37]
Замыкание ключа происходит в два этапа. На первом этапе входная емкость Свх транзистора заряжается до потенциала, соответствующего отпиранию его эмиттерного перехода. При этом напряжение на выходе ключа не меняется. Оно уменьшается с ростом отпирающего тока базы, при использовании высокочастотных транзисторов, а также при уменьшении паразитной емкости Свых, шунтирующей коллекторную цепь транзистора. [38]
В статических ОЗУ данные запоминаются в григгерных схемах. В динамических ОЗУ данные хранятся в виде зарядов входных емкостей транзисторов. [39]
Конденсаторы С и С, являются элементами связи контура с антенно-фидерной системой, а С2 - элемент связ. Емкость С2 складывается из переменной емкости варикапа, подстроечной емкости монтажа и входной емкости транзистора. В диапазоне УКВ коэффициент перекрытия по диапазону д / вДн J / - Cmaj [ / CmIn изменяется очень незначительно, и это позволяет настраивать варикапами без опасения получить большую неравномерность коэффициента передачи по диапазону. [40]
Катушка индуктивности LK контура входной цепи в несколько витков намотана на каркасе из материала с малым углом потерь. Емкость контура обычно имеет величину порядка 15 - 40 пФ и состоит из пересчитанной входной емкости транзистора усилителя, емкости схемы и добавочной емкости полупеременного подстроечного конденсатора Ск. В некоторых случаях полупеременный конденсатор отсутствует и колебательный контур подстраивается путем изменения индуктивности LK. Между входом транзистора и колебательным контуром существует автотрансформаторная связь с коэффициентом т2 U2 / UK, где U2 - комплексная амплитуда напряжения на входе усилителя. [41]
На входы С1 и С2 подаются последовательности отрицательных импульсов, не пересекающихся во времени. При подаче на вход D уровня Я и сигнала С1 на затворы Т2 и ТЗ входная емкость транзистора Т4 заряжается до уровня, близкого к В. [42]
При столь малой величине входной проводимости и входной емкости нет необходимости в слабой связи между колебательным контуром входной цепи и транзистором, поэтому вход транзистора подключается непосредственно к зажимам колебательного контура. В этом случае во всех ранее полученных расчетных формулах входной цепи следует полагать gsx 0 и / ла 1, а входную емкость транзистора прибавлять к емкости колебательного контура. [43]
 |
Формирование частотной характеристики УПЧ с помощью четырех резонансных систем с сильной связью. [44] |
Для согласования каскадов УПЧ может использоваться трансформаторная, емкостная или автотрансформаторная связь. Схема связи с емкостным делителем напряжения является более простой, чем схема с трансформаторной связью. Здесь входная емкость транзистора подключена параллельно большой емкости контура и практически незначительно влияет на его резонансную частоту. В каскадах УПЧ с полосовыми фильтрами применение такой схемы согласования увеличивает добротность контура. [45]
Страницы: 1 2 3 4