Входная емкость - транзистор
Cтраница 2
Использование такой схемы для управления зарядом и разрядом входной емкости транзистора позволяет сократить число компонентов на одну логическую функцию в регистрах и счетчиках. [16]
Во-вторых, после подачи импульсного напряжения происходит перезаряд входной емкости транзистора Свх. [17]
При таком большом значении С выходной и пересчитанной входной емкостью транзистора, а также емкостью монтажа можно пренебречь и включить параллельно первичной обмотке трансформатора емкость Ск0 068 мкф. [18]
При таком большом значении С выходной и пересчитанной входной емкостью транзистора, а также емкостью монтажа можно пренебречь и включить параллельно первичной обмотке трансформатора емкость 0 0 068 мкф. [19]
Эквивалентная схема заряда конденсатора Ct без учета процессов разряда входной емкости транзистора приведена на рис. 3.19. Напряжение на конденсаторе ( uci) определяется выражением подобным (3.18) и при Ci / CK2 справедливо условие (3.23), что позволяет упростить исходную формулу. [20]
 |
Принципиальная схема ТПУ с общей базой. [21] |
Этот контур включает в себя элементы CiLb C2L2 и входную емкость транзистора. Индуктивность L2 и емкость С2 образуют последовательный контур, который допускает перестройку в пределах от 2 / Вх до [ вых, что позволяет выяснить влияние холостых контуров во входной цепи на эффективность умножителя. [22]
 |
Мощные СИТ фирмы Tokin. [23] |
RCH отк - сопротивление канала транзистора в открытом состоянии; Свх - входная емкость транзистора; / рас - максимальная рассеиваемая мощность. [24]
 |
Последовательное включение транзисторов для повышения напряжения пробоя. [25] |
Емкость конденсаторов должна быть достаточно большой для того, чтобы нейтрализовать разницу входных емкостей транзисторов; в противном случае будет неравное деление и общее напряжение пробоя уменьшится. [26]
Свых - выходные активная проводимость и емкость транзистора данного каскада, СВХ2 - входная емкость транзистора следующего каскзда. [27]
 |
Схема соединения инверторов для определения средней задержки распространения сигнала ( а и диаграммы работы этой схемы ( б. [28] |
Низкое быстродействие имеют также схемы МОПТЛ, в которых задержка определяется временем заряда входных емкостей транзисторов через относительно высокоомные сопротивления каналов транзисторов предыдущих схем. [29]
 |
Схемы связи транзисторов с контуром входной цепи. а трансформаторная. б автотрансформаторная. в емкостная. [30] |
Страницы: 1 2 3 4