Барьер - шоттка
Cтраница 2
 |
ВАХ диодов Шоттки на a - Si. H 102 ] при различных уровнях легирования атомами Р, PH3 / SiH4. [16] |
Несмотря на то что для барьеров Шоттки, выполненных на a - Si: H соблюдается линейное соотношение м жду 1 / С2 и V, уравнение (3.4.1) не в состоянии полностью описать С - F-характеристики. [17]
 |
ВАХ диодов Шоттки на a - Si. H 102 ] при различных уровнях легирования атомами Р, PH3 / SiH4. [18] |
Несмотря на то что для барьеров Шоттки, выполненных на a - Si: H соблюдается линейное соотношение МРЖДУ l / С2 и V, уравнение (3.4.1) не в состоянии полностью описать С - F-характеристики. [19]
Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитакс иальные с барьером Шоттки. [20]
Остаточное напряжение на ключе с барьером Шоттки несколько больше, чем на обычном ключе, и составляет 0 2 - 0 3 В. Однако этот недостаток окупается повышением быстродействия примерно в 1 5 - 3 раза по сравнению с быстродействием обычных ключей, поскольку здесь транзистор работает все время в активном режиме. [21]
Принципы действия полевого транзистора с барьером Шоттки и транзистора с р-га-переходом не различаются. Использование барьера Шоттки позволяет уменьшить не только емкость Сзс, но и размеры всего транзистора. В настоящее время лабораторные образцы полевых транзисторов с барьером Шоттки работают на частотах до 30 ГГц. [22]
В обычных полевых транзисторах с барьером Шоттки значительное сокращение плотности донорной примеси в канале приводит к уменьшению тока затвора, поэтому рассеяние на донорных ионах является неизбежным и его влияние особенно возрастает при снижении рабочей температуры. [23]
 |
Конструкция фотодиода на основе барьера Шоттки и его. [24] |
Высоким быстродействием обладают фотодиоды на основе барьера Шоттки. В типичной структуре ( рис. 2.17) такого диода свет проходит через тонкую полупрозрачную пленку металла и поглощается в основном в области объемного заряда полупроводника. Следовательно, инерционность обусловливается только временами п и Xrc - Малое значение т - обеспечивается узкой областью объемного заряда, а небольшое значение тдс получается за счет того, что удельное сопротивление металла много меньше, чем полупроводника, и Гб соответственно меньше. Основными переносчиками тока через контакт в этом случае являются дырки полупроводника ( рис. 2.17), которые практически мгновенно рекомбинируют с электронами в металле. [25]
 |
Устройство р-п перехода точечных ( а, сплавных ( б, сварных ( в, диффузионных мезадиодов ( г и планарных ( д импульсных диодов. 1 - р-п переход. 2 - кристалл. 3 - омический контакт. [26] |
Малое прямое сопротивление и небольшая емкость барьера Шоттки позволяет диодам работать на сверхвысоких частотах. Типичный диапазон рабочих частот составляет 5 - 250 ГГц, а время переключения - менее 0 1 не. Обратные токи диодов Шоттки малы и составляют несколько микроампер. [27]
 |
Энергетические дпаг - [ IMAGE ] - 9. Энергетические диаграммы металла и гс-полупровод - раммы металла и р-полупровод-ника. ника. [28] |
Переходы металл - полупроводник называют также барьерами Шоттки. [29]
В модуляторе использованы четверки диодов с барьером Шоттки, предварительно отобранные по следующим параметрам: разброс емкостей диодов, измеренных на частоте 50 МГц, при нулевом смещении не превышал 0 05 пФ, а разброс прямых падений напряжения при смещении постоянным током 1 мА был не более 0 03 В. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5