Cтраница 5
На границе раздела металл - полупроводник создается потенциальный барьер, называемый барьером Шоттки. Высота потенциального барьера определяется величиной работы выхода металла Фш, сродством к электрону полупроводника % и плотностью состояний на границе раздела. В случае, если плотность состояний на границе раздела равна нулю и % 0м, потенциальный барьер оказывается отрицательным по отношению к электронам полупроводника и контакт становится омическим. Однако на практике на границе раздела с полупроводником почти всегда существует отличная от нуля плотность состояний. [61]
Эта разность потенциалов создается в приповерхностном слое полупроводника, в результате возникает барьер Шоттки высотой Фм-Фп Фо-В реальных структурах металл-полупроводник это соотношение не всегда строго выполняется, так как на поверхности полупроводника в тонкой диэлектрической прослойке, возникающей из-за технологических факторов между металлом и полупроводником, образуются локальные поверхностные состояния. Электроны, находящиеся на них, экранируют влияние металла так, что внутреннее электрическое поле в полупроводнике определяется этими поверхностными состояниями. [62]
ПТШ определяется сопротивлением обратно смещенного р - n - перехода или сопротивлением барьера Шоттки, а в МДП-транзисторе - сопротивлением слоя диэлектрика. Ом, в нек-рых конструкциях достигает 1014 Ом. [63]
Значительные краевые токи могут повлиять на процесс переноса носителей заряда, разделяемых барьером Шоттки. В приборах с барьером Шоттки данные эффекты таким же образом воздействуют на J0 и диодный коэффициент А, как и в гетеропереходах. [64]
![]() |
Структура тензочувст - [ IMAGE ] Структура тензочув-вительного транзистора с барье - ствительного тиристора с барьером Шоттки в качестве контакта ром Шоттки в качестве кон-к базе такта к базе. [65] |
Применив же в качестве контакта к одной из баз ( рис. 7.11) барьер Шоттки и используя его в качестве управляющего электрода, можно путем деформации контакта изменять / у. В качестве тензочувствительного элемента в таких конструкциях может быть использован также и гетеропереход. [66]