Барьер - шоттка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Пока твой друг восторженно держит тебя за обе руки, ты в безопасности, потому что в этот момент тебе видны обе его. Законы Мерфи (еще...)

Барьер - шоттка

Cтраница 5


На границе раздела металл - полупроводник создается потенциальный барьер, называемый барьером Шоттки. Высота потенциального барьера определяется величиной работы выхода металла Фш, сродством к электрону полупроводника % и плотностью состояний на границе раздела. В случае, если плотность состояний на границе раздела равна нулю и % 0м, потенциальный барьер оказывается отрицательным по отношению к электронам полупроводника и контакт становится омическим. Однако на практике на границе раздела с полупроводником почти всегда существует отличная от нуля плотность состояний.  [61]

Эта разность потенциалов создается в приповерхностном слое полупроводника, в результате возникает барьер Шоттки высотой Фм-Фп Фо-В реальных структурах металл-полупроводник это соотношение не всегда строго выполняется, так как на поверхности полупроводника в тонкой диэлектрической прослойке, возникающей из-за технологических факторов между металлом и полупроводником, образуются локальные поверхностные состояния. Электроны, находящиеся на них, экранируют влияние металла так, что внутреннее электрическое поле в полупроводнике определяется этими поверхностными состояниями.  [62]

ПТШ определяется сопротивлением обратно смещенного р - n - перехода или сопротивлением барьера Шоттки, а в МДП-транзисторе - сопротивлением слоя диэлектрика. Ом, в нек-рых конструкциях достигает 1014 Ом.  [63]

Значительные краевые токи могут повлиять на процесс переноса носителей заряда, разделяемых барьером Шоттки. В приборах с барьером Шоттки данные эффекты таким же образом воздействуют на J0 и диодный коэффициент А, как и в гетеропереходах.  [64]

65 Структура тензочувст - [ IMAGE ] Структура тензочув-вительного транзистора с барье - ствительного тиристора с барьером Шоттки в качестве контакта ром Шоттки в качестве кон-к базе такта к базе. [65]

Применив же в качестве контакта к одной из баз ( рис. 7.11) барьер Шоттки и используя его в качестве управляющего электрода, можно путем деформации контакта изменять / у. В качестве тензочувствительного элемента в таких конструкциях может быть использован также и гетеропереход.  [66]



Страницы:      1    2    3    4    5