Барьер - шоттка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Почему неправильный номер никогда не бывает занят? Законы Мерфи (еще...)

Барьер - шоттка

Cтраница 3


31 Принципиальная схема преобразователя на МДП-тетроде с непосредственным перемножением напряжений сигнала и гетеродина. [31]

Полевые транзисторы на арсениде галлия с барьером Шоттки находят широкое применение в устройствах СВЧ диапазона: усилителях, генераторах, смесителях, схемах быстродействующей памяти ЭВМ.  [32]

33 Энергетические диаграммы фотодиода Шоттки. [33]

Потенциальный барьер в приконтактном слое называют барьером Шоттки. Его высота pso является аналогом внутреннего потенциального барьера в р-п переходе.  [34]

35 Энергетические дпаг - [ IMAGE ] - 9. Энергетические диаграммы металла и гс-полупровод - раммы металла и р-полупровод-ника. ника. [35]

Переходы металл - полупроводник называют также барьерами Шоттки.  [36]

Первые работы по изучению диодов с барьером Шоттки относятся к началу 30 - х годов.  [37]

Изучение эффектов старения в диодах с барьером Шоттки на основе Аи - и - Si [ Ponpon, Siffert, 1978 ] показало, что электрические свойства этих приборов непосредственно связаны с диффузией кислорода через металл.  [38]

Как правило, наибольшей высотой Ф0 обладают барьеры Шоттки нанесением на полупроводник и-типа ( GaAs, Si) пленки золота.  [39]

40 Изменение коэффициента оптического поглощения аморфного сплава Si-B, осажденного при B2H6 / SiH4 1 10 2 в зависимости от квадрата энергии фотона. [40]

Между аморфным сплавом и кремнием и-типа образуется эффективный барьер Шоттки. Диффузионный потенциал составляющий 0 56 В, получен из вольт-фарад-ной характеристики, представляющей собой линейную зависимость между 1 / С2 и У.  [41]

42 Влияние области объемного заряда при различных напряжениях на переходе. [42]

Рассмотрим, каким образом изменяется поток электронов через барьер Шоттки под влиянием приложенного к переходу напряжения и.  [43]

Для того чтобы контакт к Si в виде барьера Шоттки обладал при комнатной температуре / ос0 0 1 Ом - см2, необходимо, чтобы для электронов Фь 0 45 эВ ( или для дырок Ф /, 0 42 эВ) при условии, что ДФА 0 и эффективная постоянная Ричардсона А - 112 А / ( см2 - К2) для электронов и А 32 А / ( см2 - К1) для дырок. Для p - Si эти требования легко выполнить, создавая контакты, например, из PtSi или RhSi ( Ф /, 0 25 и 0 33 эВ соответственно), однако они обладают большим температурным коэффициентом сопротивления и становятся непригодными при температуре жидкого азота.  [44]

Для повышения быстродействия фотодиодов их изготавливают на основе барьера Шоттки.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5