Cтраница 3
![]() |
Принципиальная схема преобразователя на МДП-тетроде с непосредственным перемножением напряжений сигнала и гетеродина. [31] |
Полевые транзисторы на арсениде галлия с барьером Шоттки находят широкое применение в устройствах СВЧ диапазона: усилителях, генераторах, смесителях, схемах быстродействующей памяти ЭВМ. [32]
![]() |
Энергетические диаграммы фотодиода Шоттки. [33] |
Потенциальный барьер в приконтактном слое называют барьером Шоттки. Его высота pso является аналогом внутреннего потенциального барьера в р-п переходе. [34]
![]() |
Энергетические дпаг - [ IMAGE ] - 9. Энергетические диаграммы металла и гс-полупровод - раммы металла и р-полупровод-ника. ника. [35] |
Переходы металл - полупроводник называют также барьерами Шоттки. [36]
Первые работы по изучению диодов с барьером Шоттки относятся к началу 30 - х годов. [37]
Изучение эффектов старения в диодах с барьером Шоттки на основе Аи - и - Si [ Ponpon, Siffert, 1978 ] показало, что электрические свойства этих приборов непосредственно связаны с диффузией кислорода через металл. [38]
Как правило, наибольшей высотой Ф0 обладают барьеры Шоттки нанесением на полупроводник и-типа ( GaAs, Si) пленки золота. [39]
![]() |
Изменение коэффициента оптического поглощения аморфного сплава Si-B, осажденного при B2H6 / SiH4 1 10 2 в зависимости от квадрата энергии фотона. [40] |
Между аморфным сплавом и кремнием и-типа образуется эффективный барьер Шоттки. Диффузионный потенциал составляющий 0 56 В, получен из вольт-фарад-ной характеристики, представляющей собой линейную зависимость между 1 / С2 и У. [41]
![]() |
Влияние области объемного заряда при различных напряжениях на переходе. [42] |
Рассмотрим, каким образом изменяется поток электронов через барьер Шоттки под влиянием приложенного к переходу напряжения и. [43]
Для того чтобы контакт к Si в виде барьера Шоттки обладал при комнатной температуре / ос0 0 1 Ом - см2, необходимо, чтобы для электронов Фь 0 45 эВ ( или для дырок Ф /, 0 42 эВ) при условии, что ДФА 0 и эффективная постоянная Ричардсона А - 112 А / ( см2 - К2) для электронов и А 32 А / ( см2 - К1) для дырок. Для p - Si эти требования легко выполнить, создавая контакты, например, из PtSi или RhSi ( Ф /, 0 25 и 0 33 эВ соответственно), однако они обладают большим температурным коэффициентом сопротивления и становятся непригодными при температуре жидкого азота. [44]
Для повышения быстродействия фотодиодов их изготавливают на основе барьера Шоттки. [45]