Барьер - шоттка
Cтраница 4
Наиболее распространенные типы фотонных матриц выполнены на основе барьера Шоттки ( Shottky barrier), суперрешетках ( super-lattice), собственной проводимости ( intrinsic) и Z-планарной ( Z-plane) технологии. [46]
На основе GaAs также изготовлены солнечные элементы с барьером Шоттки и структурой металл - диэлектрик - полупроводник. [47]
Разновидностью транзистора с управляющим переходом является транзистор с барьером Шоттки. Транзисторы с изолированным затвором имеют затвор, электрически изолированный от проводящего канала, и подразделяются, в свою очередь, на транзисторы с встроенным и индуцированным каналами. [49]
 |
Изменение коэффициента оптического поглощения аморфного сплава Si-B, осажденного при B2H6 / SiH4 1 10 2 в зависимости от квадрата энергии фотона. [50] |
Между аморфным сплавом и кремнием n - типа образуется эффективный барьер Шоттки. Диффузионный потенциал составляющий 0 56 В, получен из вольт-фарад-ной характеристики, представляющей собой линейную зависимость между 1 / С2 и И. [51]
Как диоды с р-п-переходом, так и диоды с барьером Шоттки ( ДШ) широко используются в качестве выпрямителей в силовой электронике. Однако их применение отчасти ограничено в связи с присущими им недостатками: высокие потери мощности и малая скорость переключения в диодах с р-п-переходом, низкое напряжение пробоя и большой ток утечки в ДШ. Этим объясняется необходимость улучшения их характеристик. [52]
Активными элементами для ГИССВЧ схем служат бескорпусные приборы, использующие барьер Шоттки, р-и-переход, р-г-л-структуру. [53]
Наиболее распространенным способом осуществления этого процесса является использование р-я-перехода или барьера Шоттки. В момент, когда напряжение на МОП конденсаторе меньше порогового, через нагрузку протекает ток, обусловленный рекомбинацией неосновных носителей в МДП структуре. Таким образом, информация регистрируется в виде импульса напряжения. Некоторым недостатком такого способа вывода информации является ее стирание в ячейках МДП, на которые подано напряжение. Существенный интерес в связи с этим представляет лавинный метод вывода информации. Правда, для создания поверхностной лавины требуется дополнительный генератор импульсного напряжения, а для вывода ( ввода) информации при помощи световой радиации - источник излучения. [54]
В настоящее время существуют полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом и барьером Шоттки и изолированным затвором. [55]
Маломощные ТТЛ микросхемы с парафазным выходом на основе приборов с барьером Шоттки. [56]
Основным и преобладающим механизмом переноса носителей заряда в структурах с барьером Шоттки является термоэлектронная эмиссия. [57]
 |
Зависимости слоевого сопротивления ( 1 и коэффициента пропускания ( 2 легированных фтором пленок SnO, полученных методом пульверизации с последующим пиролизом, от их толщины d. [58] |
Металлические пленки применяются для создания прозрачных электродов в солнечных элементах с барьером Шоттки, а также сетчатого и сплошного контактов в различных конструкциях солнечных элементов. В данном разделе кратко рассмотрены те свойства металлических пленок, которые влияют на характеристики элементов. [59]
Рассмотренная комбинация обычного транзистора и диода Шоттки получила название транзистора с барьером Шоттки: она легко выполнима в интегральном исполнении как одно целое. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5