Cтраница 1
Поверхностный барьер охватывает слой кристалла толщиной около 2 5 мк. Для образования инверсионного слоя необходима возможно большая плотность поверхностных состояний. Экспериментально обнаружено, что лрирода металла оказывает значительное влияние на плотность электронных поверхностных уровней. Наибольшая высота потенциального барьера получается при использовании в качестве металлических контактов индия, цинка, кадмия, олова и меди. [1]
Поверхностный барьер простирается в германии на глубину порядка 0 0025 мм и обладает сопротивлением, которое из-за отсутствия свободных носителей заряда на много порядков превосходит сопротивление в массе полупроводника. При приближении друг к Другу двух обратно смещенных поверхностных барьеров плотность тока значительно уменьшается и контролируется степенью освещенности. В результате этого травление замедляется и образуются лунки с плоским дном и тонкой перемычкой. [2]
Такие поверхностные барьеры на пути выходящих дислокаций могут иметь различную природу - окисные и солевые пленки, поверхностные упрочненные слои, вакансионные комплексы, выделения и др. Скорость прохождения дислокаций сквозь более или менее прозрачные барьеры и размеры заторможенных подповерхностных дислокационных скоплений зависят от условий деформирования - скорости, температуры и др. Поэтому действие таких барьеров сказывается на характере стадий легкого скольжения и деформационного упрочнения, а также на скорости ползучести, тогда как непрозрачные барьеры ( например, толстые и прочные поверхностные пленки) оказывают влияние на величину критического скалывающего напряжения. [3]
Но для большинства минералов поверхностный барьер мало отличается от энергии активации движения дислокации сквозь решетку, равной энергии активации образования перегиба на линии дислокации, есл сопротивление оказывает главным образом сила Пайерлса. Например, для оливина обе величины близки к 200 кДж / моль. Поэтому не удивительно, что для ионных и ионно-ковалентных кристаллов, в которых сила Пайерлса велика, адсорбционное пластифицирование проявляется лишь при действии сред, обладающих достаточно большой поверхностной активностью. [4]
Но для большинства минералов поверхностный барьер мало отличается от энергии активации движения дислокации сквозь решетку, равной энергии активации образования перегиба на линии дислокации, если сопротивление оказывает главным образом сила Пайерлса. Например, для оливина обе величины близки к 200 кДж / моль. Поэтому не удивительно, что для ионных и ионно-ковалентных кристаллов, в которых сила Пайерлса велика, адсорбционное пластифицирование проявляется лишь при действии сред, обладающих достаточно большой поверхностной активностью. [5]
Если энергетическая зависимость прозрачности поверхностного барьера Т ( Е) имеет вид (4.3.1.16), то зависимость квантового выхода вблизи порога будет более сильной, чем кубическая. Как видно из рис. 4.3.9, показатель степени, превышающий 3, также позволяет аппроксимировать экспериментальные данные. [6]
Для изготовления триодов с поверхностными барьерами были выработаны специальные приемы. На кристалл и - Qe с противоположных сторон направляются непрерывные струи электролита ( раствор сульфата индия), и между электродом, введенным в электролит, и Ое накладывается напряжение такого знака, что Ge электролитически стравливается и на его поверхности в месте попадания струек образуются две лунки. После достижения надлежащей глубины лунок знак напряжения меняется, на поверхности Ge начинает откладываться In и в результате получается структура, показанная в разрезе на рис. 599, а. [7]
Работу Wa, равную высоте поверхностного барьера, выраженной в единицах энергии ( электроновольтах), называют полной работой выхода. [8]
Такой возбужденный электрон имеет некоторую вероятность преодолеть поверхностный барьер и в результате этого покинуть металл, становясь эжектиро-ванным электроном. [9]
В таблице 2 приведены значения потенциала пробоя поверхностного барьера для алюминиевого электрода с теми же условиями формирования поверхностного слоя, в кислороде - и водороде при температуре 25 С и межэлектродном зазоре 100 мкм. [10]
К, для того чтобы они могли преодолеть поверхностный барьер, называется эффективной работой выхода или просто работой выхода. [11]
Как следует из всего сказанного выше, теория поверхностного барьера также удовлетворительно объясняет свойства точечного контакта. Толщину - слоя оценивают немногими микронами. Вальдес нашел, однако, что размеры р-области вблизи острия значительно больше. Возможно, поэтому в настоящее время более распространено мнение, что в диодах и триодах с точечными контактами выпрямление происходит не на поверхностных барьерах, а на р - л-персходе, образовавшемся в процессе формовки. [12]
Схема последовательного соединения трех полупроводниковых триодов с поверхностным барьером. [13] |
Собирательная схема, построенная на полупроводниковых приборах с поверхностным барьером. [14]
Затрудняя доступ носителей одного знака к ре-комбинационному центру, поверхностные барьеры уменьшают скорость поверхностной рекомбинации пар в германии и кремнии. [15]