Поверхностный барьер
Cтраница 3
После прекращения подачи тока последействие не имело места, что исключает какую-либо роль поверхностных барьеров типа пленок или нагромождений дислокаций в наблюдаемом эффекте. [32]
Если де-бройлевская длина волны ( /) эмитированного электрона больше ширины ( б) поверхностного барьера, преодолеваемого этим электроном, то ток электродной фотоэмиссии не должен зависеть от формы потенциального барьера. [33]
Высокими частотными характеристиками ( до нескольких десятков мегагерц) обладают так называемые триоды с поверхностным барьером. На этой пластинке электрохимическим способом вытравляются две лунки, расположенные на расстоянии порядка 5 микрон; в лунки вводятся капли индия. [34]
В 1954 г. в США был создан новый тип германиевого триода - с так называемыми поверхностными барьерами. В нем для повышения рабочей частоты на противоположных сторонах пластинки германия электролитическим методом протравливаются два углубления ( лунки) так, чтобы остался тонкий слой германия толщиной 0 005 мм. Затем на дно лунок тем же методом наносится тонкий слой индия, обеспечивающий получение р - п-пе-рехода с каждой стороны. Новые кристаллические триоды могут работать при рабочих частотах до 60 - 100 мггц и в 10 - 20 раз экономичнее триодов с точечными контактами. [35]
На рис. 40 показана схема или на три входа, построенная на полупроводниковых приборах с поверхностным барьером. Схема представляет собой параллельное соединение трех триодов и реализует логическую операцию дизъюнкции. [36]
Из полупроводниковых триодов других типов - нитевидных триодов, канальных триодов, и триодов с поверхностными барьерами - здесь будет рассмотрен первый. Нитевидный триод, правда, не получил практического применения по причинам технологического и конструктивного характера, но его теория особенно проста и полезна для выяснения - свойств триодов других типов. Поэтому изучение полупроводниковых триодов целесообразно начать с нтевидных триодов. [37]
Термоэлектронное преобразование происходит в результате выхода электронов под действием тепловой энергии из металла, которые преодолевают высокий поверхностный барьер ( работа выхода) в движущей энергии, рис. 21.9, б, а затем они возвращаются через такой же, но более низкий барьер. [38]
Было выдвинуто предположение об электронном обмене между адсорбентом и адсорбатом как лимитирующей стадии адсорбции вследствие действия поверхностного барьера. [39]
 |
Механизм, образования силы зеркального отображения. [40] |
Работа выхода, которую должен совершить электрон для выхода из металла, тесно связана с процессом образования поверхностного барьера. Будем считать, что граница кристаллического тела проходит через крайние узлы его решетки. [41]
Дырочный ток определяется интенсивностью света, а концентрация электронов на поверхности в полосе проводимости устанавливается сама в результате соответствующих изменений поверхностного барьера. Саморегулирование поверхностного барьера происходит благодаря тому, что область истощения уравновешивается заряженными поверхностными состояниями и ионами из раствора. [42]
Это преимущество легче всего реализуется в экспериментальной конфигурации, использованной в работах Шек-ли, Поллака и Кардоны [141, 662], где поле поверхностного барьера на образце модулируется путем приложения переменного напряжения через электролит. Измерения проводятся обычно при различных постоянных смещениях, прикладываемых одновременно с модулирующим полем для изменения среднего значения поля. [43]
Если, далее, понизить температуру ниже комнатной, то обмен электронами между поверхностными уровнями и объемом твердого тела будет невозможен из-за высокого поверхностного барьера. Следовательно, поверхностные уровни окажутся изолированными и не повлияют на электропроводность, которая, таким - образом, будет отражать объемные свойства окиси цинка. [44]
В настоящее время в различных областях техники применяются германиевые транзисторы и выпрямители нескольких типов, в том числе с точечным контактом, с поверхностным барьером и с диффузионным сплавленным переходом. Для последнего типа германиевого транзистора, где используется примесный диффузионный р - п - р-переход, требуется значительно больший расход индия. Действие транзистора основано на р - п-пе-реходе, который осуществляется, когда происходит превращение германия р-типа в германий n - типа в твердом состоянии. Германий - типа образуется при введении в германий высокой степени чистоты специальных примесей, например сурьмы или мышьяка. Эти элементы, имеющие пять электронов на своей внешней орбите ( германий имеет четыре электрона), дают избыточные электроны в решетку кристаллического германия. При введении в германий в качестве примеси индия образуется германий р-типа. Поскольку индий имеет на своей внешней орбите три электрона, а германий - четыре, в кристаллической решетке германия наблюдается недостаток электронов. Эти недостающие электроны известны как дырки. Под влиянием электрического поля избыточные электроны в германии - типа движутся к положительному источнику; в германии р-типа электроны могут перескакивать в дырки, и дырки появляются в направлении отрицательной клеммы. [45]
Страницы: 1 2 3 4