Поверхностный барьер

Cтраница 4

Эмиссионные свойства разных термокатодов. [46]

Во-вторых, при поглощении излучения в теле могут появиться электроны настолько большой энергии, что некоторые из них, дойдя до поверхности тела, преодолевают поверхностный барьер и оказываются эмиттированными. [47]

В принципе эффект Дембера можно наблюдать, если электрический контакт сделан в виде емкостной связи и падающее излучение модулируется высокой частотой Однако наличие поверхностных состояний повышает поверхностный барьер даже в отсутствие металлического контакта, а излучение изменяет заселенность этих состояний, в результате чего возникает фотонапряжение, которое также трудно отделить от э д с Дембера. Этот метод переменного тока использовался Эспозито, Ло-ферским и Фликером [228] для наблюдения эффекта Буймистро-ва [103], сходного с эффектом Дембера и заключающегося в увеличении фотонапряжения в полупроводнике при наличии градиента времени жизни неосновных носителей. В этом случае градиент концентрации носителей возрастает, и носители разного знака диффундируют с различными скоростями таким же образом, как описывалось рацее. Возникающее фотонапряжение также описывается уравнением ( 525), которое, как следует отметить, является общим выражением, не зависящим от причины, вызывающей градиент концентрации. [48]

Гистерезис С ( V) может быть связан с началом генерации подвижных ионов посредством электрохимической реакции на металлическом электроде и с участием туннельной инжекции электронов через тонкий поверхностный барьер. В пользу этого механизма свидетельствует асимметрия пиков активной составляющей проводимости системы МДП [215] относительно полярности смещения. [49]

При падении светового потока на катод фотоэлемента часть световой энергии поглощается веществом катода, вследствие чего некоторые электроны приобретают такую энергию, которая достаточна для преодоления поверхностного барьера и выхода с катода. Это явление называется внешним фотоэффектам или фотоэлектронной эмиссией. Напряжение от внешнего источника питания, приложенное к фотоэлементу, Обусловливает появление фототока, который в режиме насыщения прямо пропорционален падающему на катод световому потоку. [50]

Схема опыта Столетова. [51]

Следующим шагом теории должно быть вычисление распределения скоростей электронов, измененного по сравнению с распределением Ферми вследствие поглощения фотонов частью электронов, и определение числа электронов, преодолевающих поверхностный барьер, и их распределения по скоростям и направлениям с учетом отражения от барьера. В общем случае теория встречается с большими трудностями, но для частот, близких к граничной частоте v0, возможны существенные упрощения. [52]

Представление процесса фотоэмиссии из диэлектриков согласно трехступенчатой модели. / - оптическое возбуждение, 2 - перенос. [53]

Однако их можно различить, так как в фотоэмиссии переход 1 проявляться не будет в связи с тем, что энергия электрона в конечном состоянии недостаточна для преодоления поверхностного барьера. [54]

В настоящей работе приводятся результаты исследования влияния структуры и свойств переходного слоя при электролитическом осаждении, по методикам [8-9, 14] цинка, никеля и меди на алюминий А-7 м на потенциал пробоя поверхностного барьера на участке: твердое тело - адсорбированный газ. [55]

Предлагаемый механизм, представленный уравнениями ( I-IV), основан на расчете концентрации электронов на поверхности ( п) исходя из определяемой вблизи поверхности плотности ионизированных доноров окиси цинка ( Njj) и поверхностного барьера ( Fs), измеряемого при соответствующем токе. [56]

Широкое распространение анализаторов амплитуд импульсов обусловлено тем, что величина выходных импульсов многих датчиков заряженных частиц, рентгеновского и гамма-излучения пропорциональна энергии излучения, воспринятого датчиком ( примером могут служить пропорциональные счетчики, детекторы на твердом теле, детекторы с поверхностным барьером, сцинтилляторы, рассмотренные в разд. [57]

Страницы: 1 2 3 4