Поверхностный барьер
Cтраница 2
В разделе 11 3 было показано, каким образом поверхностный барьер может влиять на адсорбционное равновесие. Теперь мы укажем на важную роль, которую он может играть в необратимой адсорбции. [16]
 |
К вычислению высоты поверхностного барьера.| Сопоставление потенциального барьера с кривой распределения электронов по энергиям. Масштаб хвоста распределения Ферми вытянут по вертикали. [17] |
К, для того, чтобы они могли преодолеть поверхностный барьер, называется эффективной работой выхода или просто работой выхода. [18]
Замораживание фотопроводимости, согласно выводам Мельника, обусловлено влиянием поверхностного барьера. [19]
Было показано, что можно провести некоторую аналогию между высотой поверхностного барьера и энергией активации, измеряемой экспериментально при исследовании активированной адсорбции. Теплота адсорбции регулярно снижается ( а высота поверхностного барьера растет) в зависимости от степени заполнения поверхности адсорбированными ионами. [20]
 |
Триггер на полупроводниковых триодах с поверхностным барьером. [21] |
На рис. 41 показана схема триггера на полупроводниковых триодах с поверхностным барьером. Схема по внешнему виду напоминает схему триггера на электронных лампах. В данном случае коллекторы и базы триодов ПТ и ЯТа соединены крест-накрест, что обеспечивает получение схемы с двумя устойчивыми состояниями равновесия. [22]
 |
Правильно разомкнутая электрохимическая цепь пз платино-водородного электрода сравнения ( н. в. э. и исследуемого металла М. [23] |
Если де-бройлевская длина волны эмитированного электрона ( /) больше ширины поверхностного барьера ( б), преодолеваемого этим электроном, то ток электродной фотоэмиссии не должен зависеть от формы потенциального барьера. [24]
Помимо высоких частотных свойств и высокой стабильности работы, триоды с поверхностным барьером обладают высокой экономичностью: они потребляют сотые доли ватта. [25]
 |
Схема инвертора на полупроводниковом триоде типа. [26] |
На рис. 39 приведена схема последовательного соединения трех полупроводниковых триодов с поверхностным барьером. Схема имеет три входа и реализует операцию и - логическую операцию конъюнкции для трех переменных. [27]
Рой Моррисон [241] рассматривает происхождение уравнения Рогинского - Зельдовича с точки зрения образования поверхностного барьера при адсорбции, предполагая, что скорость адсорбции определяется скоростью перехода электронов через этот барьер. К - Хауффе [114] также трактует происхождение уравнения Рогинского-Зельдовича с точки зрения теории граничного слоя как результат электронного обмена между адсорбирующимся веществом и твердым телом, что определяет скорость адсорбции. [28]
Использование коротковолнового излучения для исследования строения валентной зоны твердого тела связано с преодолением потенциального поверхностного барьера. С уменьшением работы выхода исследуемого материала возникает возможность использования для экспериментальных целей видимого или даже инфракрасного излучения. [30]
Страницы: 1 2 3 4