Полупроводниковый монокристалл

Cтраница 1

Полупроводниковый монокристалл толщиной 1 мм и шириной 1 см помещен в магнитное поле с индукцией В0 5 Тл. Вектор магнитной индукции перпендикулярен плоскости образца. [1]

Исходный полупроводниковый монокристалл должен обладать требуемыми физическими свойствами ( тип электропроводности, удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда, ширина запрещенной зоны, коэффициент теплопроводности), иметь заданную ориентацию кристаллографических осей, структурное совершенство, однородное распределение загрязняющих примесей и быть технологичным как при его получении, так и при производстве приборов. [2]

Схема процесса получения. [3]

Для получения полупроводниковых монокристаллов были разработаны различные методы, представление о которых дается ниже. Получение монокристаллов вытягиванием из расплава по методу Чохральского обеспечивает контролируемое содержание примесей по длине кристалла и сохранение совершенной кристаллической структуры. [4]

На основе синтетических полупроводниковых монокристаллов алмаза уже в настоящее время возможно изготовление макетных образцов некоторых перспективных для электронной техники приборов и устройств. К ним относятся: малогабаритный резистор объемно-поверхностного действия в широком диапазоне сопротивлений с температурным его уходом не более 2 %, в интервале 210 - 670 К и рассеиваемой мощностью не менее 0 5 Вт; малоинерционный термодатчик с температурным коэффициентом сопротивления до 200 Ом / градус в интервале от 210 до 670 К, устойчивый к агрессивным средам; люминесцентный источник света с выходом, например, голубого свечения до 20 %; теплоотводящее устройство на основе монокристалла алмаза с пониженным содержанием азота и других ростовых дефектов для малогабаритных полупроводниковых приборов с эффективностью большей по сравнению с медными теплоотводами. [5]

Изучение оптических свойств полупроводниковых монокристаллов показало, что край полосы поглощения при скорости их роста не более 1 7 - Ю-3 м / с соответствует диапазону длин волн от 240 до 350 мм и зависит от типа и концентрации примеси. В ИК спектрах кристаллов, легированных бором, наблюдались полосы поглощения с максимумами 2 3 - 2 8 мкм, которые связывают с одиночными атомами бора, а также системы полос 7 8 и 7 4 мкм, обусловленные примесью азота в комплексной и парамагнитной формах соответственно. [6]

Основой выпрямительного диода является полупроводниковый монокристалл, в котором методом сплавления или диффузии сформирован р - / г-переход. Толщина базы значительно больше толщины граничащей с ней высоколегированной области с дырочной электропроводностью ( электропроводностью р-типа), которую называют эмиттером. Это обеспечивает защиту p - n - перехода от атмосферных воздействий. [7]

В этих материалах используют полупроводниковые монокристаллы, что улучшает процессы, происходящие в / 7 - - переходе, по сравнению с поликристаллическими материалами. Благодаря этому германиевые и кремниевые вентили обладают гораздо лучшими характеристиками. Аморфная разновидность кремния не применяется как полупроводниковый материал. Германиевые вентили раньше кремниевых нашли широкое промышленное применение, что связано с более простой технологией получения монокристаллов германия, хотя и она связана с немалыми трудностями. [8]

Материалы первого совещания по получению полупроводниковых монокристаллов способом Степанова и перспективам их применения в приборостроении. [9]

Материалы первого совещания по получению полупроводниковых монокристаллов способом Степанова и перспективам их применения в приборостроении, ФТИ АН СССР, Ленинград, 1968, стр. [10]

Отличительными особенностями современной технологии получения полупроводниковых монокристаллов германия и кремния сводятся к двум операциям: очистке методом зонной плавки и выращивании монокристаллов. [11]

Схема устройства для зонной плавки. [12]

Отличительные особенности современной технологии получения полупроводниковых монокристаллов германия и кремния сводятся к двум операциям: очистке методом зонной плавки и выращиванию монокристаллов. [13]

В качестве электродов электрохимической ячейки используют полупроводниковый монокристалл, например диоксид титана, и металлическую сетку с платиновой чернью, которые в электролизере с водой разделены диафрагмой. [14]

Основным элементом силового полупроводникового прибора является полупроводниковый монокристалл, в котором один или несколько p - n - переходов получают различными технологическими методами - сплавным, диффузионным, диффузионно-сплавным, эпитаксиальным, а также с помощью электронного и ионного лучей. [15]

Страницы: 1 2 3 4