Полупроводниковый монокристалл

Cтраница 2

Однако довольно быстро была установлена необходимость получения максимально чистых полупроводниковых монокристаллов. [16]

Все возрастающее значение приобретает метод транспортных реакций в получении полупроводниковых монокристаллов, в особенности для соединений, плавящихся с разложением. Некоторым недостатком метода в его современном оформлении является опасность загрязнения получаемых кристаллов веществом-переносчиком. [17]

Так как все элементы полупроводниковой ИМС создаются в объеме полупроводникового монокристалла, возникает проблема электрической изоляции компонентов друг от друга. Для решения этой проблемы используются два метода изоляции: 1) обратносме-щенным р-п-переходом; 2) диэлектриком. Наиболее распространенной является изоляция обратносмещенным р-гг-переходом, так как в этом случае существенно снижается стоимость ИМС. [18]

Так как все элементы полупроводниковой ИС создаются в объеме полупроводникового монокристалла, то возникает проблема электрической изоляции компонентов друг от друга. Для решения этой проблемы используются два метода изоляции: 1) обратно-смещенным р-п-переходом; 2) диэлектриком. Наиболее распространенной является изоляция обратносмещенным р-л-переходом, так как в этом случае существенно снижается стоимость ИС. [19]

Структура интегральной схемы. [20]

Интегральная схема может быть упрощенно представлена в виде параллелепипеда полупроводникового монокристалла ( обычно кремния) малого размера, который содержит легированные области разного типа проводимости и на поверхности которого нанесены в виде определенного геометрического рисунка тонкие пленки металлов и диэлектриков. [21]

Так как все элементы полупроводниковой ИМС создаются в объеме полупроводникового монокристалла, возникает проблема электрической изоляции компонентов друг от друга. Для решения этой проблемы используются два метода изоляции: 1) обратносмещенным р-п-переходом; 2) диэлектриком. Наиболее распространенной является изоляция обратносмещенным p - n - переходом, так как в этом случае существенно снижается стоимость ИМС. [22]

Все возрастающее значение приобретает метод транспортных реакций в - получении полупроводниковых монокристаллов, в особенности для соединений, плавящихся с разложением. Некоторым недостатком метода в его современном оформлении является опасность загрязнения получаемых кристаллов веществом-переносчиком. [23]

Наиболее важное значение для технологии ИМС имеет диффузия в твердой фазе, обычно в полупроводниковом монокристалле, поэтому, рассмотрим ее более подробно. Прежде всего рассмотрим механизм диффузии в твердом теле. [24]

Электронно-дырочный переход получают вплавлением ( резкий переход) или диффузией ( плавный переход) в полупроводниковый монокристалл примесей, создающих тип проводимости, противоположный типу проводимости исходного монокристалла. [25]

Метод термометрии по сдвигу края поглощения позволяет измерять как стационарную, так и нестационарную температуру полупроводниковых монокристаллов в диапазоне от криогенных до высоких ( в - - 1500 С) температур. В настоящее время этот метод является вторым ( после лазерной интерференционной термометрии) по температурной чувствительности сигнала. [26]

Структура гибридной интегральной микросхемы, эквивалентная схема которой показана на рис, 7 1 6. [27]

Полупроводниковая интегральная микросхема может быть изготовлена по совмещенной технологии: активные элементы выполнены в объеме полупроводникового монокристалла, а пассивные элементы - на защищенной поверхности монокристалла ( например, окислом) в тонкопленочном исполнении. [28]

В настоящее время существует несколько способов изготовления чувствительных элементов полупроводниковых тензодатчиков: вырезание датчиков из полупроводникового монокристалла в виде бруска; выращивание монокристаллов в виде усов посредством конденсации паров; нанесение на некоторые виды подложек тонких пленок со свойствами монокристаллов; получение диффузионным способом датчиков, основанных на использовании р-п-перехода. [29]

Получение р - л-перехода методом сплавления. [30]

Страницы: 1 2 3 4