Полупроводниковый монокристалл

Cтраница 4

В предположении о том, что возникновение обнаруженных затравочных центров плавления обусловлено явлением теплового пробоя в рамках теории Вагнера была построена физическая модель о развитии канала теплового пробоя в полупроводниковом монокристалле с образованием расплавленной фазы. В рассматриваемом случае появление таких центров следует ожидать в местах максимальных диэлектрических потерь на дефектных областях кристалла с повышенной электропроводностью, являющихся локальными источниками рассеяния энергии внешнего поля. [46]

Повышение рабочей частоты позволяет улучшить технико-экономические показатели преобразовательных устройств, но обусловливает ряд особенностей в работе силовых вентилей, связанных с повышенной частотой коммутации и вызывающих дополнительные потери энергии в объеме полупроводникового монокристалла. [47]

Полупроводники и их соединения в промышленности применяются в виде монокристаллов. Основные требования, предъявляемые к полупроводниковым монокристаллам - высокая чистота и совершенство кристаллической решетки. Наиболее важные физические свойства полупроводника определяются количеством содержащихся в нем посторонних атомов. Различие концентрации их в объеме кристалла, предназначенного для изготовления полупроводниковых приборов, приводит к значительному различию параметров этих приборов. Содержащиеся в монокристалле структурные дефекты также ухудшают параметры полупроводника. Поэтому важной задачей технологии полупроводниковых материалов является выращивание их в виде совершенных монокристаллов с определенной кристаллографической ориентацией и с минимальным, притом равномерным распределением по объему таких распространенных дефектов, как дислокации. [48]

Инфракрасные микроскопы появились в связи с необходимостью изучать объекты, непрозрачные в видимой области спектра, но пропускающие инфракрасные лучи. Такими объектами являются, например, полупроводниковые монокристаллы и некоторые биологические препараты. [49]

Изготовливают ( р-п) - переходы несколькими способами. Сплавной переход получают нагреванием в печи полупроводникового монокристалла, например германия n - типа, на поверхность которого помещается кусочек индия. Другой способ получения ( р-п) - перехода основан на диффузии примеси в полупроводник из газовой фазы; такой переход называют диффузионным. [50]

Сплавной метод заключается в том, что на поверхности полупроводниковой пластины расплавляют металл или сплав, сообщающий исходному полупроводнику противоположный тип электропроводности после рекристаллизации расплава. Качество полученного р-я-перехода зависит от свойств исходных материалов ( полупроводникового монокристалла, легирующего металла или сплава) и теплового режима. [51]

Известны экспериментальные образцы жидкостных лазеров, а в последнее время у нас разработаны лазеры полупроводниковые. Рабочим телом такого лазера служит обычно кубик, выпиленный из полупроводникового монокристалла. [52]

Внешний вид тигля с загрузкой из технического карбида. [53]

Вакуумная система установки позволяет производить откачку печи до остаточного давления порядка 10 - 5 мм рт. ст. при температуре 2000 С. Это обеспечивает высокую степень чистоты рабочего объема, необходимой для выращивания полупроводниковых монокристаллов карбида кремния. [54]

Чувствительность Ф обратно пропорциональна длине волны зондирующего света и прямо пропорциональна толщине пластинки. На рис. 6.20 показаны зависимости Ф / i 1 от волнового числа А 1 для полупроводниковых монокристаллов при в 300 К. Увеличение чувствительности Ф путем увеличения волнового числа возможно лишь в том диапазоне, где энергия кванта зондирующего света меньше ширины запрещенной зоны кристалла. [55]

Источником управляющего светового сигнала может быть излучатель любого спектрального состава, включая монохроматический. Однако применение таких видов излучения, как у-лучи, рентгеновские лучи, потоки нейтронов, протонов или электронов, нежелательно, так как под воздействием радиации в решетке полупроводникового монокристалла возникают устойчивые дефекты, которые могут привести к изменению параметров прибора. [56]

Принцип действия генераторных фотоэлементов основан на использовании внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Применяются гальваномагнитные и вентильные фотоэлементы. Гальваномагнитный фотоэлемент состоит из полупроводникового монокристалла, размещенного между полюсными наконечниками постоянного магнита. [57]

Страницы: 1 2 3 4