Полупроводниковый монокристалл

Cтраница 3

Сущность метода состоит в том, что при вытягивании монокристалла из расплава ( при изготовлении полупроводникового монокристалла) в него вводят сначала примесь, сообщающую ему -, а затем р-проводимость. Между двумя такими частями монокристалла образуется р - - переход. [31]

Активные элементы интегральных схем. о - диод. б - транзистор. [32]

Диоды ( рис. 52, а) могут быть получены диффузионным слоем, имеющим л-переход и полупроводниковым монокристаллом р-типа. [33]

Электронно - дырочный переход получают вплавлением ( резкий переход) или диффузией ( плавный переход) в полупроводниковый монокристалл примесей, создающих тип проводимости, противоположный типу проводимости исходного монокристалла. [34]

Термокомпенсирующие прокладки изготовляют в виде дисков, которые подвергают тщательной шлифовке для более плотного прилегания их к поверности полупроводникового монокристалла. Это способствует уменьшению толщины слоя припоя и механических напряжений в полупроводниковом элементе. [35]

Структура гибридной интегральной микросхемы, наготовленной по совмещенной технологии. [36]

При создании совмещенной ИС процессы изготовления пассивных и активных элементов различны во времени: активные элементы выполняются в объеме полупроводникового монокристалла, а пассивные - на защищенной окислом поверхности монокристалла в тонкопленочном ( толщина пленки до 1 - 2 мкм) исполнении. [37]

В медно-закисных и селеновых вентилях используются полупроводники в поликристаллическом виде, в то время как в германиевых и кремниевых используют полупроводниковые монокристаллы, что улучшает процессы, происходящие в р - n - переходе. Благодаря этому германиевые и кремниевце вентили обладают гораздо более высокими характеристиками. Германиевые вентили раньше кремниевых нашли широкое промышленное применение, что связано с более простой технологией получения монокристаллов германия, хотя и она связана с немалыми трудностями. [38]

В меднозакисных и селеновых вентилях используются полупроводники в поликристаллическом виде, в то время как в германиевых и кремниевых используют полупроводниковые монокристаллы; что улучшает процессы, происходящие в р - n - переходе. Благодаря этому германиевые и кремниевые вентили обладают гор-аздо более высокими характеристиками. Аморфная разновидность кремния не применяется как полупроводниковый материал. Германиевые вентили раньше кремниевых нашли широкое промышленное применение, что связано с более простой технологией получения монокристаллов германия, хотя и она связана с немалыми трудностями. [39]

Для производства интегральных схем применяются различные специальные материалы, идущие па создание активных и пассивных элементов микросхем, а именно полупроводниковые монокристаллы, эпитаксиальпые слои, проводящие, резистивные и диэлектрические пленки, а также вспомогательные материалы. [40]

Следует отметить, что повышенные требования к качеству некоторых реактивов со стороны полупроводниковой техники вызываются, в частности, применением их при травлении полупроводниковых монокристаллов. Для этой цели чаще всего применяют кислоты ( азотную, плавиковую, серную, соляную и др.), а также едкий натр и пергидроль. [41]

Надо полагать, что проводящиеся в настоящее время широким фронтом исследования по усовершенствованию методов диффузии, эпитаксиального выращивания и фотолитографической обработки, а также работы по получению более совершенных исходных полупроводниковых монокристаллов позволят в ближайшие годы осуществить дальнейшее значительное расширение пределов работы мощных транзисторов. [42]

Схема, показывающая связь разброса. [43]

Такое кольцевое расположение областей с различным удельным сопротивлением на монокристаллической пластине полупроводника хорошо согласуется с существующими представлениями о слоистом характере распределения легирующей примеси п выращиваемом по методу Чохральского полупроводниковом монокристалле. [44]

Рельеф закристаллизовавшегося участка теплового пробоя. Si ( 111, М600. [45]

Страницы: 1 2 3 4