Монтаж - кристалл
Cтраница 1
Монтаж кристаллов на основание корпуса осуществляют пайкой твердым припоем или легкоплавким стеклом в зависимости от типа корпуса и необходимости электрического контакта кристалла с корпусом. При монтаже в металлический корпус используют твердый припой, представляющий собой эвтектический сплав золото-германий или золото-кремний с температурами плавления 356 С и 370 С соответственно. Изоляции кристалла от основания корпуса не требуется, так как подложка полупроводниковой микросхемы всегда имеет самый ни амий потенциал. [1]
Монтаж кристаллов в микросхемах должен осуществляться в условиях микроклимата или кондиционированных помещениях с относительной влажностью не более 65 % и температурой ( 298 10) К. [2]
Монтаж кристаллов в микросхемах должен осуществляться в условиях микроклимата или кондиционированных помещениях с относительной влажностью иг более 65 % и температурой ( 298 Ю) К. [3]
Монтажу кристаллов с жесткими выводами предшествует ориентация по положению и совмещению с контактными площадками коммутационной платы. [4]
После монтажа кристалла в корпусе выполняют соединения контактных площадок с выводами корпуса. [5]
После монтажа кристалла в корпусе необходимо соединить контактные площадки кристалла с выводами корпуса. Соединение золотых и алюминиевых проволочных выводов с контактными площадками на кремниевых кристаллах осуществляется с использованием методов термокомлрессии, ультразвуковой и термозвуковой сварки. [6]
Для монтажа кристаллов с балочными выводами широко применяется инструмент с плоской рабочей площадкой, имеющий прямоугольное углубление для кристалла. [7]
Процесс монтажа кристалла с готовой микросхемой в корпус обычно разбивается на два этапа: присоединение кристалла к корпусу и монтаж межсоединений между контактными площадками кристалла и внешними выводами корпуса. [8]
Для монтажа кристаллов с ИС применяется-сварка сдвоенных электродом, давлением с косвенным импульсным иагревом и ультразвуковая. При сварке сдвоенным вольфрамовым ил молибденовым электродом гибкий проволочяый вывод прижимается электродом к тонкопленочно-му покрытию ( рис. 2.19) или к выводу корпуса ИС. Сварка производится одним или несколькими импульсами тока, который подается через изолированные половины раздвоенного электрода и проходит через место соединения. [10]
При монтаже кристаллов силовых ключей в корпуса модулей стремятся удовлетворить условиям хорошей теплопроводности и достаточного напряжения изоляции между полупроводниковыми кристаллами и основанием модуля. Данные параметры в основном определяются тепловыми и электрическими свойствами материала подложки, на которой размещаются полупроводниковые элементы. Оксид бериллия ВеО и нитрид алюминия AIN, обладающие более хорошей теплопроводностью, применяют гораздо реже из-за ядовитости и дороговизны соответственно. [11]
При монтаже кристаллов методом эспандера первой операцией сборки является присоединение кристалла к диэлектрической подложке. [12]
 |
Схема устройства установки монтажа кристаллов с шариковыми выводами. [13] |
При монтаже кристаллов с шариковыми выводами из мягкого припоя материал вывода расплавляется и переходит в жидкую фазу. Поэтому в процессе монтажа необходимо принимать меры, чтобы расплавленные шарики припоя не были раздавлены и не растекались по поверхности кристалла и подложки. [14]
Действительно, монтаж кристаллов на тонкопленочной коммутационной плате обеспечивает более высокую надежность по сравнению с внешними соединениями корпусных ИС с печатной платой. При этом значительно уменьшается число контактов в устройстве. [15]
Страницы: 1 2 3 4