Монтаж - кристалл
Cтраница 4
 |
Структура элементов монолитной диффузионно. [46] |
При этом в местах, свободных от окисла, образуется омический контакт с соответствующими диффузионными областями. Межсоединения выполняют согласно схеме с помощью фотолитографии по металлической пленке. Последующие еборочно-монтаж-ные операции предусматривают монтаж кристалла в корпусе, присоединение внешних выводов к контактным площадкам кристалла, присоединение выводов кристалла к выводам корпуса и герметизацию корпуса. [47]
Кристалл захватывается вакуумным присосом и центрируется при монтаже наклонными рабочими площадками. Конструкция сварочного инструмента рассчитывается таким образом, чтобы половина толщины кристалла выступала из-под торца инструмента. Такой инструмент используется и для монтажа кристаллов с шариковыми выводами. [48]
БИС в настоящее время незначительно. А микромонтаж кристаллов с жесткими организованными выводами полностью решает задачи полной автоматизации данных процессов. Как видно из табл. 2.9, в этом случае суммарная трудоемкость микромонтажа и монтажа кристаллов минимальна. В табл. 2.10 приведена относительная оценка стоимости сборки кристаллов в различные корпуса. [49]
 |
Корпус типа ТО-3. [50] |
Основание корпуса представляет собой массивную ( в большинстве случаев медную) ромбовидную пластину. В пластине имеются два отверстия, через которые проходят выводы, обычно это эмиттерный и базовый выводы, и два отверстия для крепления корпуса к теплоотводу. Выводы, которые для транзисторов, пропускающих не очень большие токи ( до 5 а), изготовлены из ковара или молибдена, впаяны через стеклянные изоляторы во втулки, а втулки в свою очередь впаиваются в отверстия основания корпуса. Между выводами на основании корпуса расположена площадка для монтажа кристалла. [51]
На кремниевой пластине 1 л - типа ( рис. 43) с эпитаксиально выращенным на ней тонким ( несколько микрометров) слоем 2 n - типа локальным диффузионным легированием с применением фотолитографии последовательно изготовляют области базы 4 р-типа и области эмиттера 5 / 7 -типа. Для уменьшения емкости и повышения пробивного напряжения коллекторного р-п-перехода его изготовляют в слабо легированном слое 2 Сильное легирование пластин / необходимо для уменьшения сопротивления коллекторной области. Затем пластину кремния разделяют на отдельные кристаллы. Металлизированный электрод коллектора 9 изготовляют обычно одновременно с монтажом кристалла пайкой в корпусе прибора. [52]
Выбор метода монтажа определяется конструкцией ИС и конечной целью этапа конструирования. Так, на этапе экспериментирования целесообразно применять наиболее простой способ монтажа, заключающийся в прикреплении кристалла с ИС к корпусу ( путем напайки или приклеивания) и поочередном присоединении каждой контактной площадки к выводам корпуса гибкими проволочными выводами. Например, для монтажа кристалла с 14 контактными площадками требуется изготовить 28 соединений, а для пластины со многими ИС число операций достигает нескольких сотен. При монтаже кристаллов с ИС, рассеивающих повышенные мощности, крайне важно обеспечить хороший тепловой контакт с охлаждающим радиатором. [53]
Кроме ТД, для усиления колебаний свч все шире используются транзисторы и параметрические диоды. Для повышения рабочей частоты транзисторов постоянно изыскиваются способы уменьшения времени пролета носителей заряда между эмиттером и коллектором, уменьшения емкости коллекторного перехода и выходного сопротивления транзистора. При этом, как правило, необходимо уменьшать габариты транзисторного кристалла и одновременно улучшать тепло-отвод. Специальные корпусы для свч транзисторов позволяют значительно уменьшить паразитные реактивности токовводов. Наилучшие результаты достигаются при монтаже транзисторного кристалла непосредственно в полосковую линию: Для уменьшения времени пролета применяют материалы с высокой подвижностью носителей зарядов, например, арсенид галлия. [54]
Выбор метода монтажа определяется конструкцией ИС и конечной целью этапа конструирования. Так, на этапе экспериментирования целесообразно применять наиболее простой способ монтажа, заключающийся в прикреплении кристалла с ИС к корпусу ( путем напайки или приклеивания) и поочередном присоединении каждой контактной площадки к выводам корпуса гибкими проволочными выводами. Например, для монтажа кристалла с 14 контактными площадками требуется изготовить 28 соединений, а для пластины со многими ИС число операций достигает нескольких сотен. При монтаже кристаллов с ИС, рассеивающих повышенные мощности, крайне важно обеспечить хороший тепловой контакт с охлаждающим радиатором. [55]
 |
Монтаж интегральных схем на печатные платы. [56] |
В работе [24] предлагается малогабаритный плоский металло-стеклянный корпус для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основа корпуса - стеклянный диск, впаянный в металлическое кольцо. В стеклянный диск вварены массивные металлические штырьки с плоскими торцами. Наружные торцы штырьков изготовлены заподлицо с диском. К ним привариваются ленточные выводы. Внутренние торцы выдаются над стеклянным диском. Они служат для монтажа кристаллов или для приварки к ним внутренних выводов. [57]
Страницы: 1 2 3 4