Монтаж - кристалл
Cтраница 3
Конструкция держателя или ножки и технологический процесс сборки обеспечивают удобство и надежность монтажа кристалла с электронно-дырочными переходами в корпусе полупроводникового прибора при сборке. [31]
Так, например, в установке фирмы Дженерал Микроэлектроник ( США), монтаж кристалла осуществляется на золоченую коваровую ленту с выводами в виде рамки, на которую в процессе сборки накладывается стеклянная лента, служащая в дальнейшем для герметизации ИС. [32]
 |
Маломощный германиевый точечный выпрямительный диод Д1 в стеклянном ( несобранном корпусе. [33] |
Достоинством этого корпуса являются малые габариты, простота и дешевизна изготовления; недостатками - неудобство монтажа кристалла с р-л-переходом в баллон, а также плохой отвод тепла от кристалла при работе диода. [34]
Сборочные операции относятся к типу заключительных и включают в себя: разделение пластин на кристаллы, монтаж кристалла на кристаллодержателе методом пайки или ультразвуковой сварки, присоединение выводов к контактным площадкам кристалла и траверсам корпуса методом термокомпрессии или сварки, защиту кристалла компаундом или лаком, герметизацию корпуса. [35]
Нередко выбор метода монтажа зависит от опыта работы предприятия или возможностей приобретения или изготовления оборудования для монтажа кристаллов. [36]
Часто выбор того или иного электродного сплава, а также припоя определяется необходимым температурным интервалом всего технологического процесса изготовления прибора: создания р - п-перехода, приплавления омического контакта, монтажа кристалла на ножку, присоединения электродных выводов, герметизации корпуса прибора и пайки внешних выводов. [37]
Здесь необходимо отметить специфические социальные обстоятельства. Когда указанный процесс монтажа кристаллов в микроэлектронике ведется вручную, то работница делает это под микроскопом с большим напряжением зрения и нервов. Такого напряжения человек долго не выдерживает. [38]
Указаны тепловые сопротивления кристалл - среда в спокойном воздухе без дополнительных теплоотводов. Тепловое сопротивление кристалл - С ида в большой степени зависит от способа монтажа кристалла и пассивной подложки ( в случае гибридных ИС), поэтому приведенные значения являются ориентировочными. [39]
Керамический корпус рассеивает примерно вдвое большую мощность, чем пластмассовый корпус типа DIP. Кроме того, керамика обеспечивает высокую прочность стенок корпуса, что позволяет при тех же размерах сделать в них полости для монтажа кристаллов большего размера. Последние изготавливаются из смеси керамики со стеклом и по стоимости занимают промежуточное значение между пластмассовыми и керамическими. [40]
В последнее время в микросхемах снова стали применяться полупроводниковые кристаллы, которые используются в полупроводниковых диодах в обычных корпусах [9], однако изменилась техника их монтажа в микросхему. Полупроводниковый кристалл крепится к металлической рамке, в которую вставлена подложка микросхемы, и с помощью отрезка золотой ленты соединяется с полоской микросхемы. Такой монтаж кристаллов позволяет достигнуть в микросхемах величин мощности рассеяния, сравнимых с мощностями корпусных диодов с обращенным кристаллом и дает возможность заменять активные элементы без разрушения микросхемы. В сочетании с техникой обратного монтажа новая схема крепления активных элементов открывает возможности для дальнейшего увеличения удельной мощности радиотехнических устройств. [41]
 |
Присоединение к подложке об - аКТИВНЫб Приборы ДОЛЖНЫ быть ращенного ( перевернутого кристалла. соединены М6ЖДУ Собой. Пассивные. [42] |
На рис. 11.9 показан способ присоединения к керамической подложке кристалла с выполненным в нем транзистором - способ обращенного ( перевернутого) кристалла. Перевернутый подложкой вверх кристалл устанавливают на изоляционную подложку гибридной схемы так, чтобы токопроводящие шарики были совмещены с соответствующими контактными площадками, и производят пайку. При монтаже обращенного кристалла используют также и ультразвуковую сварку. [43]
 |
Структура элементов монолитной диффузионно. [44] |
При этом в местах, свободных от окисла, образуется омический контакт с соответствующими диффузионными областями. Межсоединения выполняют согласно схеме с помощью фотолитографии по металлической пленке. Последующие еборочно-монтаж-ные операции предусматривают монтаж кристалла в корпусе, присоединение внешних выводов к контактным площадкам кристалла, присоединение выводов кристалла к выводам корпуса и герметизацию корпуса. [45]
Страницы: 1 2 3 4