Cтраница 1
Монтаж транзистора рекомендуется осуществлять с помощью клея ЭЧЭ-С ТУ ЫУО. [1]
Монтаж транзисторов в гибридную схему рекомендуется осуществлять с помощью клея ЭЧЭ-С ТУ ЫУО. При приклеивании транзистора не допускается затекание клея йа активную поверхность транзистора. [2]
Монтаж транзисторов производится по методике, рассмотренной ранее. [3]
Монтаж транзистора / ( рис. 1.13) на плате осуществляют термокомпрессионной сваркой шариковых 3 или балочных 5 выводов с контактными площадками 2 либо с помощью проволочных выводов. [4]
Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом: место монтажа смачивается спирто-каннфольным флюсом ( 10 - 30 % канифоли ГОСТ 19113 - 73, спирта 70 - 90 % ГОСТ 18300 - 72), затем укладывается фольга припоя ПОС-61 ГОСТ 1499 - 70 толщиной 30 мкм, размером 3X3 мм. [5]
Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом: место монтажа смачивается спирто-канифольным флюсом ( 10 - 30 % канифоли ГОСТ 19113 - 73, спирта 70 - 90 % ГОСТ 18300 - 72), затем укладывается фольга припоя ПОС-61 ГОСТ 21931 - 76 толщиной 30 мкм, размером 3X3 мм. [6]
Монтаж транзисторов осуществляется припайкой металлизированного основания держателя к теплоотводу при Г 150 С. [7]
Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом. [8]
Монтаж транзистора в микросхему осуществляется припайкой корпуса транзистора к теплоотводящей поверхности. Максимально, допустимая температура припоя при монтаже в микросхему не более 200 С. [9]
Монтаж транзисторов осуществляется приклейкой к теплоотводящей поверхности. Допускается пайка или сварка выводов на расстоянии не менее 2 мм от транзистора. Температура припоя не должна превышать 533 К. Допускается пайка выводов на расстоянии 0 5 мм от транзистора при температуре припоя не более 423 К. [10]
Монтаж транзистора в модуль должен осуществляться в условиях микроклимата при Т 228 - - 353 К. Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее 1 мм от края защитного покрытия при температуре не более 373 К. [11]
Монтаж транзисторов следует производить в инертной среде в течение не более 1 с при давлении на транзистор не более 50 г, при этом температура кристалла не должна превышать 523 К. [12]
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется следующим образом. Затем укладывается фольга припоя ПОС-61 ( ГОСТ 21931 - 76) толщиной 30 мкм, размером 1 9 х 1 9 мкм. Микросхема нагревается до температуры ( 373 5) К в течение 10 с. В момент пайки транзистор прижимается к месту монтажа пинцетом. Усилие прилагается к боковым поверхностям кристаллодержателя. [13]
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется следующим образом. [14]
Монтаж транзисторов в схему осуществляется припайкой металлизированного основания держателя к теплоотво-ду при Т 423 К. [15]