Cтраница 3
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется в следующем порядке: место монтажа в микросхеме смачивается флюсом ФКСп, затем укладывается фольга припоя ПОС-61 толщиной 30 мкм, размером 1 9 х 1 9 мм. Допускается нагрев микросхемы до температуры не выше 473 К в течение не более 10 с. В момент пайки транзистор прижимается к месту монтажа пинцетом. Усилие прилагается к боковым поверхностям кристал-лодержателя. [31]
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется в следующем порядке: место монтажа в микросхеме смачивается флюсом ФКСП, затем укладывается фольга припоя ПОС-61 толщиной 30 мкс, размером 1 9 х 1 9 мм. Микросхема нагревается до температуры 473 К в течение 10 с. В момент пайки транзистор притирается к месту монтажа пинцетом. Усилие прилагается к боковым поверхностям кристаллодержателя. [32]
Монтаж транзистора в микросхему осуществляется путем припайки корпуса транзистора к теплоотводящей поверхности. [33]
Монтаж транзистора в модуль должен ос ществляться в условиях микроклимата при Т 228 - - 353 К. [34]
Монтаж транзисторов рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. [35]
Монтаж транзистора в состав гибридной схемы рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя применяется золотая прокладка толщиной 0 02 мм. Основание, на которое напаивается транзистор, должно быть золоченое, толщина покрытия не менее 3 мкм. [36]
Монтаж транзистора в гибридную схему следует проводить припайкой основания кристаллодержателя к нагретой теплоотводящей поверхности. Температура пайки не более 180 С, время пайки не более 3 мин. Рекомендуется перед пайкой проводить об-луживание при температуре - Н90 С в течение не больше 1 мин. [37]
Монтаж транзистора рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. [38]
Монтаж транзисторов в составе гибридных микросхем рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. Поверхность, на которую напаивается транзистор, должна быть золоченая, толщина покрытия 3 - 4 мкм. [39]
Монтаж транзисторов должен осуществляться с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. [40]
Монтаж транзистора рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. [41]
Монтаж транзистора должен осуществляться с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. Поверхность, на которую напаивается транзистор, должна быть золоченая, толщина покрытия 3 - 4 мкм. [42]
Монтаж транзистора рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. [43]
Монтаж транзистора рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде, температура пайки не выше 450 С. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. Поверхность, на которую напаивается транзистор, должна быть золоченая, толщина покрытия не менее 3 мкм. [44]
Монтаж транзистора рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 01 мм. [45]