Cтраница 4
Монтаж транзисторов в гибридной схеме должен осуществляться с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. [46]
Монтаж транзисторов следует производить в инертной среде в течение не более 1 с при давлении на транзистор не более 50 г, при этом температура кристалла не должна превышать 523 К. [47]
Монтаж транзистора в составе гибридной схемы рекомендуется осуществлять с помощью клея типа Э4Э - С ЫУО. Температура сушки 120 С, время сушки 90 мин. [48]
Монтаж транзистора в состав гибридной схемы должен осуществляться при помощи клея Э4Э - С ЫУО. ТУ с последующей сушкой в термостате при температуре 120 С в течение 90 мин. Не допускается затекание клея по периметру кристалла. Соединение кристалла с контактной площадкой должно выдерживать разрывное усилие не менее 0 6 гс. [49]
Монтаж транзистора в составе гибридной схемы рекомендуется осуществлять с помощью клея Э4Э - С ЫУО. [50]