Cтраница 2
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется следующим образом. [16]
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется в следующем порядке: место монтажа в микросхеме смачивается флюсом ФКСп, затем укладывается фольга припоя ПОС-61 толщиной 30 мкм, размером 1 9 х 1 9 мм. Допускается нагрев микросхемы до температуры не выше 473 К в течение не более 10 с. В момент пайки транзистор прижимается к месту монтажа пинцетом. Усилие прилагается к боковым поверхностям кристал-лодержателя. [17]
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется в следующем порядке: место монтажа в микросхеме смачивается флюсом ФКСП, затем укладывается фольга припоя ПОС-61 толщиной 30 мкс, размером 1 9 х 1 9 мм. Микросхема нагревается до температуры 473 К в течение 10 с. В момент пайки транзистор притирается к месту монтажа пинцетом. Усилие прилагается к боковым поверхностям кристаллодержателя. [18]
Монтаж транзистора в микросхему осуществляется путем припайки корпуса транзистора к тештоотводящей поверхности. [19]
Монтаж транзисторов в схему осуществляется припайкой металлизированного основания держателя к теплоотво-ду при Т 423 К. [20]
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется в следующем порядке: место монтажа в микросхеме смачивается флюсом ФКСп, затем укладывается фольга припоя ПОС-61 толщиной 30 мкм, размером 1 9 х 1 9 мм. Допускается нагрев микросхемы до температуры не выше 473 К в течение не более 10 с. В момент пайки транзистор прижимается к месту монтажа пинцетом. Усилие прилагается к боковым поверхностям кристал-лодержателя. [21]
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется в следующем порядке: место монтажа в микросхеме смачивается флюсом ФКСП, затем укладывается фольга припоя ПОС-61 толщиной 30 мке, размером 1 9 х 1 9 мм. Микросхема нагревается до температуры 473 К в течение 10 с. В момент пайки транзистор притирается к месту монтажа пинцетом. Усилие прилагается к боковым поверхностям кристаллодержателя. [22]
Монтаж транзистора в микросхему осуществляется путем припайки корпуса транзистора к теплоотводящей поверхности. [23]
Монтаж транзисторов осуществляется приклейкой к теплоотводящей поверхности. Допускается пайка или сварка выводов на расстоянии не менее 2 мм от транзистора. Температура припоя не должна превышать 533 К. Допускается пайка выводов на расстоянии 0 5 мм от транзистора при температуре припоя не более 423 К. [24]
Монтаж транзистора в модуль должен осуществляться в условиях микроклимата при Т - 228 - г - 353 К. Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее 1 мм от края защитного покрытия при температуре не более 373 К. [25]
Монтаж транзисторов следует производить в инертной среде в течение не более 1 с при давлении на транзистор не более 50 г, при этом температура кристалла не должна превышать 523 К. [26]
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется следующим образом. Затем укладывается фольга припоя ПОС-61 ( ГОСТ 21931 - 76) толщиной 30 мкм, размером 1 9 х 1 9 мкм. Микросхема нагревается до температуры ( 373 5) К в течение 10 с. В момент пайки транзистор прижимается к месту монтажа пинцетом. Усилие прилагается к боковым поверхностям кристаллодержателя. [27]
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется следующим образом. [28]
Монтаж транзисторов в схему осуществляется припайкой металлизированного основания держателя к теплоотво-ду при Т 423 К. [29]
Монтаж транзисторов осуществляется приклейкой к теплоотводящей поверхности. Допускается пайка или сварка выводов на расстоянии не менее 2 мм от транзистора. Температура припоя не должна превышать 533 К. Допускается пайка выводов на расстоянии 0 5 мм от транзистора при температуре припоя не более 423 К. [30]