Мощность - рассеяние
Cтраница 2
 |
Схемы электронных стабилизаторов напряжения. [16] |
Мощность рассеяния на аноде регулирующей лампы ие должна превышать допустимой для данной лампы величины. [17]
Мощность рассеяния является параметром, зависящим от технологии выполнения МП, степени интеграции элементов на кристалле и топологии схемы. [18]
Мощность рассеяния, допустимая для МЗ, обычно позволяет подавать на вход его не более 10 - 20 В. [19]
 |
Схема ключа с внутренней емкостью.| Форма импульса на ключе с внутренней емкостью. [20] |
Мощность рассеяния в транзисторе незначительна по сравнению с мощностью, отдаваемой в нагрузку. Паразитные емкости транзистора сравнительно малы, но вследствие накопления носителей инерция ключа, если не принимать специальных мер, может быть значительной. [21]
Мощность рассеяния на аноде Рп в схеме усилителя класса А получается наибольшей в том случае, когда от каскада не отбирается мощность переменного тока. [22]
 |
Внешний вид непроволочных переменных резисгоров типа. а - СП-1. б - СПО. в - СПЗ-16. [23] |
Мощность рассеяния составляет 0 25 - 2 вт. [24]
 |
Геометрические размеры объекта. [25] |
Мощность рассеяния определяется как разность между подведенной и полезной мощностями. [26]
 |
Недонапряженный ( 1, 2, критический ( 5 и перенапряженный ( 4 режимы работы лампы.| Зависимость мощности и к. п. д. генератора от сопротивления нагрузки. [27] |
Мощность рассеяния на аноде Ра представляет собой разность подводимой и колебательной мощностей. В области недонапряженного режима рассеиваемая мощность может быть настолько велика, что анод лампы расплавится. Это, в частности, происходит, если выключить задающий генератор при работе усилителя мощности в режиме с малым углом отсечки. В диапазонах дециметровых и сантиметровых волн в качестве усилителей мощности обычно используется много-резонаторный клистрон, особенно в режиме непрерывных колебаний. Мощность усилительных клистронов достигает десятков и сотен киловатт. В миллиметровом диапазоне чаще применяют амплитроны. [28]
Мощность рассеяния ( потерь) триода при нормальной температуре окружающей среды ограничена кривой PKmUKIK, которая имеет гиперболическую форму. [29]
Мощность рассеяния ( потерь) транзистора при нормальной температуре окружающей среды ограничена кривой Рктах UKIK, которая имеет гиперболическую форму. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5