Мощность - рассеяние
Cтраница 3
Мощность рассеяния резистора ограничена главным образом нагревом. Чрезмерный нагрев приводит к нелинейным вольт-амперным характеристикам. [31]
 |
Эквивалентная схема непроволочного. [32] |
Мощность рассеяния резистора с переменным сопротивлением указывается в технических условиях для всего проводящего элемента. [33]
 |
Схема построения сумматора с направленными ответвнте-лями на связанных полосковых волноводах. [34] |
Мощность рассеяния па них не превышает 1 Вт. В случае затухания на один кольцевой мост рк 0 4 дБ число генераторов возрастает до 366 шт. [35]
Мощность рассеяния регулировочных резисторов, Вт, с учетом возможных отклонений фактических сопротивлений в цепях УКЗ от расчетных следует выбирать по току наиболее нагруженного анода Wpi / lamax - Zpf. Если максимальное падение напряжения в цепи УКЗ больше стандартного напряжения катодной станции при соответствующем номинальном токе, необходимо в зависимости от конкретных условий и с учетом экономических соображений увеличить площадь сечения дренажных кабелей, уменьшить сопротивление растеканию анодов, либо выбрать катодную станцию с меньшим номинальным током и соответственно изменить расстояния между УКЗ. [36]
 |
Принципиальная схема разделительного устройства ( а и его вольтам-перная характеристика ( б. [37] |
Мощность рассеяния балластного сопротивления выбирают в зависимости от тока замыкания на землю подстанции. Балластные сопротивления целесообразно применять на тех подстанциях, где значение нормируемого сопротивления растеканию контура заземления достаточно для эффективной работы средств электрохимической защиты, а фактическое сопротивление растеканию значительно меньше нормируемого. [38]
Мощность рассеяния резистивного элемента пропорциональна площади его поверхности, следовательно, для обеспечения большой мощности рассеяния и малых габаритов необходима такая форма резистивного элемента, которая при заданном объеме имела бы наибольшую поверхность. Известно [43], что тела в форме параллелепипеда или цилиндра имеют наибольшее отношение площади поверхности к объему при одном вырожденном размере, например, параллелепипед - в форме тонкой пластины ( или пленки), а цилиндр-в форме тонкого стержня. Однако тонкая пластина или тонкий стержень не обладает необходимой механической жесткостью и прочностью, поэтому без дополнительных базовых элементов получить приемлемую конструкцию резистора не удается. Базовый элемент конструкции резистора используют не только для получения требуемой жесткости и прочности, но и для увеличения теплоотдачи, что позволяет не только компенсировать неизбежное увеличение габаритных размеров резистора, но в ряде случаев и существенно их уменьшить. [39]
Мощность рассеяния вновь установленного резистора не должна быть меньше мощности рассеяния заменяемого. [40]
 |
Схемы потенциометров.| Конструкция потенциометра РП-25. [41] |
Мощность рассеяния Рр проволочных потенциометров указывается цифрой в названии типа. Потенциометры РП-25 и РП-80 выполняются только одинарными, остальные как одинарными, так и сдвоенными. Потенциометры типов ПП-1 и ПП-3 могут быть снабжены выключателем. Потенциометры типов ПЛ-1 и ПЛ-2 являются прецизионными линейными потенциометрами с мощностью рассеяния 2 и 5 em соответственно. Они имеют шкалу для отсчета угла поворота ротора со скользящим контактом. [42]
Мощностью рассеяния принято называть мощность, которая может длительно выделяться на данном сопротивлении, не нагревая его выше допустимой температуры. Мощность рассеяния определяет нагрузочные способности сопротивления. [43]
Когда мощность рассеяния и температура лавинообразно увеличиваются, не достигая равновесия, говорят, что транзистор находится в состоянии теплового разноса. Температурная стабильность транзистора зависит от многих факторов. [44]
 |
Температурная зависимость ТКС терморезисторов. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5