Мощность - рассеяние
Cтраница 4
Ма ксимальная мощность рассеяния - мощность, при которой терморезисторы, находящиеся в спокойном воздухе при температуре 293 ГК, при протекании тока разогреваются до максимальной рабочей температуры. [46]
 |
Устройство фоторезистора. [47] |
Превышение мощности рассеяния приводит к превышению допустимой температуры и необратимым изменениям свойств фоторезисторов. С увеличением температуры окружающей среды максимально допустимая мощность снижается по линейному закону. [48]
Зависимость мощности рассеяния от окружающей температуры для этих сопротивлений приведена на рис. 1V.4 приложения IV. Вместо сопротивлений СП в усилителях видеочастоты могут применяться переменные объемные сопротивления типа СПО, выпускаемые на номинальные мощности в 0 5, 1 и 2 вт. Размеры сопротивлений СПО значительно меньше размеров сопротивлений СП, диаметр корпуса которых равен 29 мм, вне зависимости от номинальной мощности. Диаметр корпуса сопротивления СПО-05 равен 15 6 мм, СПО-1 - - - 4 - 20 7 мм, СПО-2-1-28 мм. [49]
 |
Перегрузочная кривая в прямом направлении ( о и прямая ветвь в. а. х. ( б лавинного вентиля. [50] |
Повышение мощности рассеяния при перенапряжениях связано с увеличением суммарной площади р-и-перехода, через которую проходит обратный ток, являющийся током лавинного пробоя. [51]
 |
Схема элемента низкоуровневой эмиттерно-связаннои логики. [52] |
Снижение мощности рассеяния кристаллов матричных БИС возможно путем уменьшения напряжения питания; уменьшения логического перепада; совершенствования добротности полупроводниковых компонентов; применения многоярусных схем на переключателях тока. [53]
Теперь оценим мощность рассеяния на коллекторе. [54]
Рл - мощность рассеяния на аноде, вт / см2; Д / - интервал времени, в течение которого происходит повышение температуры ( нагрузочное время), сек к - теплопроводность материала анода, вт / см - С; с - удельная теплоемкость материала анода, вт сек / см3 С. [55]
Одинакова ли мощность рассеяния на коллекторах транзисторов двухтактной схемы с бестрансформаторным выходом. [56]
Чем меньше мощность рассеяния на ключе ( меньше г и больше г2), тем меньше расходуется энергии на аппарат в целом. [57]
 |
Мощный стабилизатор, снабженный схемой ограничения тока с обратным наклоном характеристики, а-схема. б-зависимость выходного напряжения от тока нагрузки. /. / /., 1 № / (. [58] |
В результате мощность рассеяния на транзисторе намного превышает нормальную. [59]
Проблема уменьшения мощности рассеяния требует создания транзисторов, имеющих при слабых сигналах большие значения коэффициентов усиления по току и произведения функционального коэффициента усиления на ширину полосы частот, а также создания элементов схем с малым разбросом параметров. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5