Мощность - рассеяние
Cтраница 5
Для снижения мощности рассеяния используют малые питающие напряжения. Уменьшение питающих напряжений позволяет снизить потребляемую устройством мощность, что необходимо при увеличении степени интеграции элементов импульсных устройств. В микроминиатюрных интегральных устройствах применяют обычно кремпиев ie транзисторы, имеющие малые значения обратного тока / ко. [61]
Для снижения мощности рассеяния на сетке целесообразно работать с максимальными анодными напряжениями, поэтому будем считать напряжение на аноде равным макси - мально допустимой величине. [62]
Перед определением мощности рассеяния ПТС помещают в среду, для измерения температуры которой он предназначается. [63]
Для увеличения мощности рассеяния рассмотренного диода при сохранении рабочей частоты необходимо уменьшать высоту теп-плоотводящего вывода, а это приводит к увеличению паразитной емкости монтажа. [64]
Изготавливаются с мощностью рассеяния 160, 250 и 500 Вт. [65]
Однако предельно допустимые мощность рассеяния и напряжение на коллекторе при разрежении до 5 мм пт, ст. в связи с худшим отводом тепла должны быть несколько снижены. [66]
 |
Сравни - где А - площадь поперечного сечения диода.| Поперечное сечение меза-диода Ганна.| Генератор Ганна. [67] |
При движении домена мощность рассеяния уменьшается до 50 % от первоначального значения. [68]
 |
Зависимость TKR от температуры. [69] |
Я определяется как мощность рассеяния, вызвавшая перегрев терморезистора на 1 С по сравнению с окружающей температурой в установившемся режиме. [70]
 |
Семейство выходных. [71] |
При движении домена мощность рассеяния уменьшается до 50 % от первоначального значения. [72]
Страницы: 1 2 3 4 5