Нагрев - кристалл
Cтраница 1
 |
Составляющие вектора телло-вых напряжений в кристалле о г, о е, o z.| Распределение составляющих вектора тепловых напряжений в кристалле Or, о 0, о г ло радиусу поперечного. [1] |
Нагрев кристалла, в том числе неравномерный, приводит к ряду отрицательных физических явлений, основными из которых являются механические напряжения, тепловая линза и неоднородное двулучепреломление. [2]
Нагрев кристаллов, содержащих фосфор, приводит к тому, что вокруг дислокаций возникают цилиндрические области материала р-типа в материале матрицы n - типа. Это показано методом травления. [3]
Вследствие нагрева диодного кристалла последовательными импульсами тока, частота излучения лазера во время импульса перестраивается контролируемым образом. [5]
 |
Образование зародышей меди по соседству с поверхностным дефектом. Х750. [6] |
При нагреве кристалла выше 400 С диффузия ускоряется, движение дислокаций становится интенсивным, что приводит к образованию поверхностной сетки дислокаций. Отметим, что при нагреве до 550 С зародыши образуются главным образом на этой сетке. [7]
 |
Зависимость рассеиваемой мощности постоянного тока от частоты усиливаемой ультразвуковой волны. [8] |
Для уменьшения нагрева кристаллов в ультразвуковых усилителях при работе на высоких частотах используется импульсный режим. Рассматриваемая мощность, как видно из (5.36), определяется также параметрами материала. Выбирают материал с большими значениями подвижности и коэффициента электромеханической связи. В табл. 5.2 приведены сравнительные характеристики пье-зополупроводниковых материалов. [9]
По мере нагрева кристалла его поверхностный слой разрыхляется, в нем возникают пустоты и поры, и наконец образуется скелетная структура. Одновременно с формированием рыхлого слоя начинается процесс его частичного диспергирования, скалывания рыхлых участков с поверхности вследствие различия их коэффициентов теплового расширения, а также под действием выделяющихся газообразных продуктов разложения и напряжений, возникающих в зоне перестройки кристаллической решетки в приповерхностном слое. [10]
 |
Проекции Р - Т - х-диаграммы системы Си - Р. [11] |
Таким образом, нагрев кристаллов соединения АВ под давлением пара летучего компонента, равным Р7, приводит к диссоциации кристаллов. [12]
При пайке выводов не допускается нагрев кристалла и защитного покрытия свыше 373 К. [13]
При монтаже транзисторов в микросхему нагрев кристалла не должен превышать 420 С. [14]
При пайке выводов не допускается нагрев кристалла и защитного покрытия свыше 373 К. [15]
Страницы: 1 2 3 4