Нагрев - кристалл
Cтраница 3
В середине плиты имеется круглое отверстие, в котором расположен нагреватель / /, предназначенный для нагрева кристалла с электронно-дырочными переходами до температуры, необходимой для термокомпрессирования. Нагреватель может вращаться при вращении расположенного под плитой приспособления текстолитового диска 9 с контактными кольцевыми дорожками, через которые подается электропитание на нагреватель. [31]
Поскольку поглощение света матрицей обычно не дает вклад в полезное лазерное излучение, а приводит лишь к вредному нагреву кристалла, то соответствующее ультрафиолетовому краю поглощение излучения накачки в реальных лазерах отфильтровывают, не допуская его попадание на кристалл АИГ-Nd. Такие центры окраски поглощают излучение накачки и генерации и резко снижают КПД лазера. [32]
При движении и росте такого незакрепленного кристалла условия для теплоотвода улучшаются-так как часть теплоты фазового перехода тратится на нагрев кристалла, условия для отвода примеси ухудшаются, вследствие необходимости отводить от кристалла еще добавочный поток примеси из внутренних слоев кристалла. Оба эффекта действуют в противоположных направлениях. Меньший отвод тепла способствует увеличению скорости роста кристалла. Поток примеси из внутренних слоев увеличивает концентрацию примеси у поверхности, снижая температуру кристаллизации, а тем самым скорость роста. [33]
При пайке ( сварке) выводов ( на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке транзисторов компаундами нагрев кристалла не должен превышать 358 К. [34]
При пайке ( сварке) выводов ( на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке транзисторов компаундами нагрев кристалла не должен превышать Т 398 К. [35]
При пайке ( сварке) выводов ( на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке транзисторов компаундами нагрев кристалла не должен превышать 358 К. [36]
При пайке ( сварке) выводов ( на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке транзисторов компаундами нагрев кристалла не должен превышать Т 398 К. [37]
При пайке ( сварке) выводов ( на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке транзисторов компаундами нагрев кристалла не должен превышать 358 К. [38]
При пайке ( сварке) выводов ( на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке транзисторов компаундами нагрев кристалла не должен превышать Т 398 К. [39]
Минимальное расстояние от места пайки ( сварки) до защитного покрытия транзистора должно быть не менее 2 5 мм, при этом нагрев кристалла и защитного покрытия допускается до температуры не более 373 К. [40]
Минимальное расстояние oi места пайки ( сварки) до защитного покрытия транзистора должно быть не менее 2 5 мм, при этом нагрев кристалла и защитного покрытия допускается до температуры не более 373 К. [41]
Если, однако, все энергетические уровни в зоне уже заняты, то электрон не сможет ускоряться полем до тех пор, пока он посредством возбуждения ( нагрев кристалла, например) не перейдет в зону, лежащую более высоко, в которой имеются незанятые ( вакантные) уровни. [42]
 |
Фокусировка светового лучка активным элементом за счет радиальной и тор-девой неоднород-ностей коэффициента преломления. [43] |
Здесь MO - показатель преломления на оси кристалла, близкий по значению к показателю преломления в холодном состоянии яа; г - расстояние до оси кристалла; П2 - добавка к коэффициенту преломления, появляющаяся за счет нагрева кристалла. Знак ми-лус перед п2 означает, что тепловая линза является собирающей. [44]
Нагрев кристалла с ИС происходит вследствие выделения на нем джоулева тепла. С изменением температуры меняются и электрические параметры ИС. [45]
Страницы: 1 2 3 4