Cтраница 4
Пайка ( сварка) выводов допускается не ближе 2 и не далее 7 мм От защитного покрытия. Нагрев кристалла и защитного покрытия при пайке ( сварке) не должен превышать 85 С. [46]
Пайка ( сварка) выводов допускается не ближе 2 и не далее 7 мм от защитного покрытия. Нагрев кристалла и защитного покрытия не должен превышать 85 С. [47]
Рассмотрим оба механизма переноса тепла в твердом теле. При нагреве кристалла происходит перераспределение электронов по энергиям. Следствием неоднородности такого перераспределения в кристалле является перенос кинетической энергии, что приводит к теплопроводности. [48]
Метод декорирования основан на образовании очень маленьких частиц в активных центрах твердых тел. Обычно при нагреве кристалла до определенной температуры вдоль дислокационных линий появляются частицы, которые можно наблюдать либо в проходящем, либо в рассеянном свете. Декорирование дислокаций возможно из-за более быстрой диффузии частиц вдоль дислокационных линий, преимущественного зарождения частиц на дислокациях, способности дислокаций служить источниками вакансий. Декорирующими частицами не всегда являются частицы примеси. Известны два способа декорирования дефектной структуры кристаллов. [49]
Пайка ( сварка) выводов допускается не ближе 1 мм от защитного покрытия. При пайке выводов нагрев кристалла и защитного покрытия не должен превышать 100 С. [50]
Поэтому кристалл, в котором выделяется эта теплота, начинает нагреваться с большой скоростью. Так как допустимая температура нагрева кристалла невелика - от 160 до 200 С, то полупроводниковый прибор может очень быстро выйти из строя. [51]
Способ крепления транзистора в аппаратуре должен обеспечивать фиксацию положения кристалла и выводов. При монтаже должны быть приняты меры, исключающие возможность нагрева кристалла и смолы до температуры более 373 К. [52]