Cтраница 2
Недостатками метода крепления пайкой является нежелательный нагрев кристалла, необходимость подгонки поверхностей кристалла и державки. Частично эти недостатки устраняются при металлизации кристаллов. Металлизация осуществляется, главным образом, электролитическим способом. [16]
После прекращения возбуждения по мере нагрева кристалла высвобождаются сначала электроны с электронных ловушек а ( дырки с дырочных ловушек х), восполняя дефицит существующих носителей при низкой температуре в зоне проводимости ( в валентной зоне) и создавая максимум типа / ( см. рис. 1, а) или типа 3 ( см. рис. 1 6) при рекомбинации с дырками ( с электронами) через центр свечения, а затем дырки с дырочных ловушек у ( электроны с электронных ловушек а), которые после захвата центром свечения дают максимум типа 2 ( типа 1) на кривых термовысвечивания. Ловушки а поставляют электроны на центры свечения при изотермической релаксации в течение миллисекунд; за длинновременное послесвечение ответственны скорей всего более глубокие уровни. [17]
После прекращения возбуждения по мере нагрева кристалла высвобождаются сначала электроны с электронных ловушек а ( дырки с дырочных ловушек х), восполняя дефицит существующих носителей при низкой температуре в зоне проводимости ( в валентной зоне) и создавая максимум типа 1 ( см. рис. 1, а) или типа 3 ( см. рис. 1 6) при рекомбинации с дырками ( с электронами) через центр свечения, а затем дырки с дырочных ловушек у ( электроны с электронных ловушек а), которые после захвата центром свечения дают максимум типа 2 ( типа /) на кривых термовысвечивания. Ловушки а поставляют электроны на центры свечения при изотермической релаксации в течение миллисекунд; за длинновременное послесвечение ответственны скорей всего более глубокие уровни. [18]
При монтаже тиристоров должны быть приняты меры, исключающие нагрев кристалла и защитного покрытия свыше 135 С. Пайка выводов допускается не ближе 2 мм от места выхода выводов из заливки. [19]
При пайке выводов должны быть приняты меры, исключающие возможность нагрева кристалла и смолы до температуры более 373 К. [20]
При пайке выводов должны быть приняты меры, исключающие возможность нагрева кристалла и защитного покрытия до температуры более 373 К. [21]
При пайке выводов должны быть приняты меры, исключающие возможность нагрева кристалла и смолы до температуры более 373 К. [22]
При пайке выводов должны быть приняты меры, исключающие возможность нагрева кристалла и защитного покрытия до температуры более 373 К. [23]
При пайке выводов должны быть приняты меры, исключающие возможность нагрева кристалла и смолы до температуры более 373 К. [24]
При пайке выводов должны быть приняты меры, исключающие возможность нагрева кристалла и защитного покрытия до температуры более 373 К. [25]
При монтаже транзисторов в микросхему должны быть приняты меры, исключающие нагрев кристалла более 423 К. При монтаже транзисторов не допускается изгиб выводов на расстоянии менее 0 5 мм от места выхода из защитного покрытия. [26]
Они сильно зависят от температуры, сдвигаясь в длинноволновую сторону при нагреве кристалла. Ширина рассматриваемых инфракрасных полос поглощения увеличивается при повышении температуры так, что вблизи TN полосы полностью сливаются с фоном. [27]
При монтаже транзисторов 2Т504А - 5, 2Т504Б - 5 в микросхему нагрев кристалла не должен превышать 420 С. [28]
При монтаже стабилитрона в микросхему не допускается натяжение и расплющивание выводов, нагрев кристалла и защитного покрытия свыше 150 С. Допускается изгиб выводов с радиусом закругления не менее 0 3 мм. [29]
При большой нагрузке на кристалл и на лампы необходимо их охлаждать, так как нагрев кристалла отрицательно сказывается на работе лазера. Для охлаждения используют преимущественно жидкие газы, например азот и гелий. [30]