Нагрев - подложка
Cтраница 1
 |
Схема простейшего аппарата для проведения пиролиза в потоке инертного газа. [1] |
Нагрев подложек может осуществляться резистив-ными нагревателями, ИК лампами и другими способами. [2]
Нагрев подложек излучением очень перспективен и находит все большее применение в установках с реакторами, изготовленными из проплавленного кварца, прозрачного для ИК-излучения. Его создают мощными кварцевыми лампами накаливания, снабженными полированными металлическими отражателями. Помимо стерильности процесса, нагрев излучением обеспечивает высокую однородность распределения температуры по площади подложки и имеет малую инерционность. Применение его позволяет снизить температуру осаждения благодаря каталитическому действию, оказываемому ИК-излучением на гетерогенные реакции, протекающие в ходе процесса эпитаксиального осаждения. [3]
Нагрев подложек происходит за счет тепла, отдаваемого графитовой подставкой П, которая нагревается токами высокой частоты. В качестве источника энергии высокой частоты используется генератор ГВЧ. Регулируется выходная мощность ГВЧ, а следовательно, и температура подложек изменением анодного напряжения генераторной лампы. Режим автоматического регулирования обспечивает поддержание температуры с точностью 3 С в диапазоне 1200 - 1300 С. [4]
Нагрев подложки, вообще говоря, обусловливает ряд одновременно протекающих процессов. В частности, он приводит к увеличению поверхностной диффузии конденсированных частиц и обеспечивает в ряде случаев очистку поверхности от посторонних веществ, препятствующих ориентированному росту. Кроме того, если температура подложки так высока, что происходит ее заметное испарение, то нагрев обусловливает также изменение поверхностной структуры. [5]
Нагрев подложки при нанесении на нее покрытий в вакууме 10 1 - 10 - 3 Па обусловлен выделением теплоты конденсации вследствие перехода вещества покрытия из газообразного в твердое состояние и поглощением теплоизлучения от испарителя. [6]
Нагрев подложек является недостатком, который, как показано выше, не только ухудшает свойства покрытий и основы, но также препятствует нанесению покрытий большой толщины и интенсификации процесса. Особенно вреден такой нагрев в высокопроизводительных непрерывных линиях металлизации стальной полосы, где для стабилизации температуры стали приходится применять сложные устройства, отводящие избыточную теплоту от подложки. [8]
Однако нагрев подложки не обеспечивает значительного повышения температуры по всей толщине материала. В результате теплопроводности от подложки разогреваются только нижние слои материала, с ней соприкасающиеся, и поэтому зона в середине материала имеет наиболее низкую температуру. [10]
 |
Схема установки для выращивания эпитаксиальной пленки хлоридным способом. [11] |
После нагрева подложки до 1200 С водород захватывает пары подогретых тетрахло-рида кремния и фосфорного водорода и переносит их в кварцевую трубу. В течение часа происходит наращивание эпитаксиальной пленки толщиной около 25 мкм. [12]
 |
Изменение пористости р ( 1, плотности 8 ( 2 и прочности сцепления покрытия с подложкой oja3p ( 3 в зависимости от температуры подложки. [13] |
При нагреве подложки свыше 600 С вся окись алюминия переходит в к-форму, которая имеет наиболее высокую плотность по сравнению с другими модификациями. [14]
При нагреве подложки с помощью специальных нагревателей вследствие бомбардировки поверхности подложки конденсирующимися частицами и выделения теплоты кристаллизации измеряемая температура конденсации и истинная температура поверхности конденсатора могут быть различными. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5