Нагрев - подложка
Cтраница 2
Прежде чем включить нагрев подложек необходимо учесть, что температура горячей части подложек не должна превосходить температуру размягчения стекла. В то же время температура холодного конца должна быть достаточной, чтобы осаждалась свободная от окислов пленка германия. [16]
Юлшк, на нагрев подложек до температуры, достаточной для кристаллизации пленки ( 350 С) - 25 мин, на охлаждение до 100 С - - 25 мин. [17]
На установке предусмотрена возможность нагрева подложки до максимальной температуры 1450 С. Поднимают температуру до заданной величины как вручную, так и автоматически по команде с программного устройства. [18]
При испарении металлов необходимо исключать нагрев подложки за счет теплоизлучения испарителя. Этот эффект особенно существенен при высокой температуре испарения и малом расстоянии между испарителем и подложкой. Нагрев подложки за счет теплоизлучения трудно измерить или рассчитать. [19]
Основное требование, предъявляемое к системе нагрева подложек в установках эпитаксиального осаждения полупроводников, сводится к обеспечению минимальных осевых и радиальных градиентов температуры в подложке, а следовательно, и в растущем слое, которые порождают термоупругие напряжения, являющиеся источником дефектов структуры. Осевой градиент температуры уменьшают установкой над подложками параллельно их поверхности теп-лоотражающих экранов, а также подогревом подаваемой в реактор парогазовой смеси. Уменьшения радиального градиента температуры добиваются хорошим прилеганием плоскости подложек к плоскости подложкодержателя и созданием условий, обеспечивающих равномерный нагрев поверхности подложек. Последний осуществляется как непосредственно энергией излучения, так и косвенно - теплопередачей от нагреваемого высокочастотным или рези-стивным способом подложкодержателя. [20]
Как мы увидим далее, необходимость нагрева подложки для увеличения степени ориентировки наиболее отчетливо проявляется при эпитаксии металлов и солей. Это не означает, что в других случаях эпитаксии структура конденсата не зависит от температуры подложки. [21]
 |
Установка для осаждения пленок.| Установка с индукционным обогревом. [22] |
Конструкция реактора определяется в основном способом нагрева подложки и ее геометрией. В методе термического разложения МОС в паровой фазе могут быть использованы многие способы нагрева, такие, как тепловой, индукционный, нагрев высокоиптенсивпым источником видимого или инфракрасного излучения и др. В зависимости от используемого типа нагревателя нагрев подложки может быть косвенным или прямым. [23]
Однако, как показано в [63], нагрев слюдяной подложки в вакууме для полной очистки ее поверхности неэффективен. [24]
На однородность слоя по толщине влияет равномерность нагрева подложки. [25]
Изложенная методика может быть применена для расчета нагрева любых подложек при нанесении на них покрытий и для выбора ( на основании полученных данных) режима нанесения. [27]
Процесс ионной имплантации не требует высокотемпературного, строго контролируемого нагрева подложки, профиль концентрации, получаемый при ионном легировании, имеет максимум на некоторой глубине, которую можно регулировать, изменяя энергию бомбардирующих ионов. Ионная имплантация характеризуется высокой воспроизводимостью результатов. Недостатком метода является довольно большая сложность технологического оборудования. [28]
Равномерность покрытий по толщине обусловливается главным образом равномерностью нагрева подложки и скоростью подачи реакционной смеси к ее поверхности. [29]
Во избежание возникновения пластических деформаций следует обеспечивать однородность нагрева подложки и плотность прилегания ее к нагревателю. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5