Накопление - радикал
Cтраница 2
На рис. 129 показан начальный участок кривой накопления радикала ( 1), снятый при температуре - 81 С и мощности дозы около 1 5 - 104 Мрад / сек. Точки, обозначенные на рисунке различными знаками, получены в различных опытах. Из этих данных был найден радиационный выход радикала ( 1) Gi 2 9 0 6 радикалов на 100 эв. [16]
Это позволяет пренебречь темновыми реакциями при описании кинетики накопления радикалов СН3 под светом. [17]
 |
Зависимость динами. [18] |
АОЭЦ в отличие от ОЭЦ параллельно с окислением происходит накопление радикалов, генерируемых при распаде гидроперекисей, возникающих в а-положенип к двойной связи. При достижении критической концентрации радикалов начинается процесс сшивания, приводящий к быстрому гелеобразованию. [19]
Замедление скорости этерификации некоторые исследователи объясняют тем, что накопление радикалов рядом с карбоксильной группой может препятствовать свободному доступу молекулы спирта к карбоксильной группе. СНз -, в последнем случае не наблюдается мсдления скорости этерификации. [20]
Замедление скорости этерификации некоторые исследователи объясняют тем, что накопление радикалов рядом с карбоксильной группой может препятствовать свободному доступу молекулы спирта к карбоксильной группе. СНз -, в последнем случае не наблюдается замедления скорости этерификации. [21]
В многокомпонентных системах имеют место более сложные кинетические особенности накопления радикалов, чем в одноком-понентных. Большой интерес представляет явление увеличения выхода продуктов, в том числе радикалов, наблюдающееся в бинарных смесях, по сравнению с выходами, которые следует ожидать, исходя из принципа радиационно-химической аддитивности. [22]
На рис. 96 представлены результаты опытов по изучению кинетики накопления радикалов R - СН2, а на рис. 97 - зависимость начальной скорости образования радикалов СН3 ( кривая /) и R - СН2 ( кривая 2) от интенсивности света. Начальные скорости образования радикалов находились из линейных участков соответствующих кривых накопления свободных радикалов. [23]
Опыты показали, что предварительное облучение слабо влияет на кинетику накопления радикалов при низких температурах. Наоборот, при высоких температурах кинетика накопления меняется существенно. На рис. 131 приведены кривые накопления радикалов в исходном необлученном и предварительно облученном образцах. Как видно из рисунка, предварительное облучение сильно увеличивает радиационный выход радикалов на начальной стадии облучения. Специальным контрольным опытом было показано, что предварительный прогрев образца до расплавления не влияет на кинетику накопления радикалов при высоких температурах. Таким образом, изменение кинетики накопления целиком обусловлено влиянием предварительного облучения. [24]
 |
Спектр э. п. р. полиэтилена высокого давления, облученного быстрыми электронами при - 95 С ( а и 70 С ( б. [25] |
Из рис. 45 следует, что в процессе облучения наблюдается уменьшение скорости накопления радикалов и что уменьшение концентрации радикалов после прекращения облучения на воздухе больше, чем в вакууме. Воеводским, Корицким и др. [80] были получены интересные данные о влиянии предварительного облучения на кинетику накопления радикалов в полиэтилене. Такое предварительное облучение незначительно-влияет на кинетику накопления свободных радикалов при низких температурах; однако в области повышенных температур положение существенно изменяется. [26]
На рис. 17 кривыми 1, 2 и - V представлена кинетика накопления радикалов в реакторе с насадкой, обработанном KCI при 125, 150 и 175 С соответственно. Видно, что с увеличением времени контакта концентрация радикалов растет, достигает максимального значения и затем падает. При более низких температурах, когда максимальная концентрация радикалов в несколько раз меньше, чем при высоких, концентрация радикалов после достижения максимума практически сохраняется неизменной. [27]
Механизмы усиления лучевого поражения клетки связаны с развитием свободно радикальных реакций, накоплением окислительных радикалов и перекисей ( перекисей водорода, гидроперекисей липидов, эпоксидов, окисленных фенолов, перекисей азотистых оснований и т.п.) и в целом составляют биохимическую стадию. Эти активные продукты создают условия для ускорения реакции, особенно когда они образовались в ядерных мембранах. Повреждение мембран обычно приводит к перемещению ферментальных белков из изолированных участков. Эти ферменты начинают разрушать собственные структуры клетки, в том числе и нуклеиновые кислоты. [28]
Последние ускоряют процессы реакции обмена атомов серы ускорителя с серой элементарной, ускоряют процесс накопления полисульфмдных радикалов, а следовательно, ускоряют процесс вулканизации. [29]
 |
Кинетические кривые накопления изопропанольных радикалов в освещенном изопропиловом спирте с бромом при Т - 196 С соотношение спирт. галоит / - 100. 1. 2 - 10. 1. 3 - 1000. 1. 4 - 10000. 1. [30] |
Страницы: 1 2 3 4