Cтраница 1
Наложение пиков, таким образом, еще слишком значительно, чтобы допустить хороший количественный анализ. При степени разделения около 1 решение относительно распределения площадей пиков между двумя веществами весьма затруднительно. [2]
Наложение пиков сопутствующих ЭАВ зависит от разности потенциалов пиков определяемого и сопутствующего ЭАВ, отношения их концентраций и форм ы обоих пиков. Разрешающую способность методики анализа обычно характеризуют теми предельными отношениями концентраций сопутствующих и определяемого ком понентов, при которых систематическая погрешность определения из-за неучета присутствия сопутствующего компонента статистически незначима или ле превышает допустимого значения. [3]
![]() |
Сраанительная оценка диатомитовых носителей. [4] |
Наложение пиков п-грег-бутилфеиола и 2 6-ди-трег - бутилфеиола. [5]
Наложение пиков псевдомолекулярных ионов учитывается с помощью специальных коэффициентов, которые определяются по эталонным соединениям, или же путем моделирования распределений интенсивностей пиков молекулярных и псевдомолекулярных ионов. [6]
Множественные наложения пиков членов различных гомологических рядов в низковольтном спектре низкого разрешения, резко снижают надежность идентификации компонентов в смесях широкого состава. Это может служить причиной ошибочного отнесения серий к конкретным гомологическим рядам. [7]
Такое наложение пиков приобретает особое значение, когда необходимо получить достаточную интенсивность редкого изотопа, чтобы произвести прецизионную регистрацию некоторых легких элементов. [8]
Из-за наложения пиков сходных структур сигналы уширены и отдельные пики в них не разделяются. [10]
При наложении пиков и нелинейной нулевой линии предлагается более сложный метод обработки. Управление прибором производится программным устройством с использованием перфокарт. [11]
При наложении мешающего пика иногда используют для расшифровки метод асимптоты. В этом случае высоту пика определяют как разность между ординатой точки максимума и ординатой точки пересечения перпендикуляра к оси абсцисс, проходящего через эту точку, с асимптотой неискаженной ветви пика у его основания или с прямой, касающейся этого основания на возможно большем участке. [12]
![]() |
Способы расшифровки вольтамперограмм. [13] |
При наложении мешающего пика величину аналитического сигнала определяют как разность между ординатой точки максимума и ординатой точки пересечения перпендикуляра к оси абсцисс, проходящего через эту точку, с асимптотой неискаженной ветви пика у его основания или с прямой, касающейся этого основания на возможно большем участке. Следует заметить, что аппроксимирование остаточного тока приводит к появлению систематической погрешности определения величины аналитического сигнала. Ее статистическая значимость возрастает при нахождении высот относительно малых пиков. [14]
С; наложение пиков л-грег-бутилфе-нола и 2 6-ди-грег - бутнлфеиола. [15]