Нанесение - тонкая пленка
Cтраница 1
Нанесение тонких пленок производится на вакуумных установках, состоящих из вакуумной системы, камеры для напыления и электрической части. Такие установки позволяют создавать в камере, где происходит нагревание и осаждение материала на подложку, вакуум 10 - 5 - КГ6 мм. Контроль электрических параметров наносимых элементов осуществляется автоматически в процессе напыления. [2]
Нанесение тонких пленок жидкого вещества на поверхность находящихся в напряженном состоянии твердых тел может повлечь за собой ряд разнообразных, весьма сложных явлений. Относительно некоторых из этих сложных явлений см. статью: Benedicks С. [3]
После нанесения тонкой пленки методом осаждения наносится слой фоторезиста и создается рисунок. Затем проводится травление незащищенных фоторезистивных участков пленочного покрытия до получения соответствующих размеров. Серию тонких пленок осаждают и травят, как при изготовлении интегральных схем. [4]
 |
Пленочные индуктивные катушки. [5] |
Для нанесения тонких пленок на подложку применяют различные методы: вакуумное напыление, катодное распыление, химическое осаждение и электролитическое анодирование. [6]
Для нанесения тонких пленок наиболее часто применяют два мете да: термовакуумное испарение и ионное ( катодное) распыление в тлеющем разряде. Для получения рисунка применяют ряд методов, наибольшее распространение из которых получили методы свободной ( механической) маски, контактной маски и избирательного травления. Первый метод заключается в использовании маски-трафарета, через щели и отверстия которой воспроизводят рисунок микросхемы. Дальнейшее усовершенствование этого метода привело к использованию контактной маски, которая получается вакуумным осаждением тонкой металлической пленки непосредственно на поверхность подложки. Однако при использовании масок возникает бесчисленное множество проблем, связанных с механическими напряжениями в маске и с возможными загрязнениями. Поэтому в последнее время наиболее часто применяют метод избирательного травления, в особенности при создании сложных конфигураций. При этом методе пленки наносят на всю поверхность подложки, а затем производят вытравливание нужной конфигурации методами фотолитографии. [7]
Для нанесения тонких пленок высокого качества необходима определенная плотность потока частиц испаряемого металла, получаемая при условии, когда они на своем пути от испарителя до основания не имеют столкновений с молекулами остаточных газов. При этом должен поддерживаться вакуум, при котором средняя длина свободного пробега испаряемых частиц будет больше расстояния от испарителя до подложки. [8]
Метод нанесения тонких пленок катодным распылением заключается в следующем. [9]
 |
Тонкопленочная схема и набор масок. [10] |
Перед нанесением тонких пленок подложку шлифуют, полируют, затем дополнительно очищают ( иногда с помощью ультразвука в абразивной среде), промывают, травят кислотами и просушивают. Непосредственно перед нанесением пленок подложку очищают ионной бомбардировкой в тлеющем разряде. [11]
Перед нанесением тонких пленок подложки тщательно очищают, так как вследствие малой толщины пленки любое загрязнение ухудшает условия конденсации, влияет на текстуру пленки и ее адгезию. Механическую очистку осуществляют путем протирания шелковым или ватным тампоном в присутствии растворителей. Для удаления ионов металла подложку последовательно промывают в царской водке, плавиковой кислоте, деионизированной воде. Органические загрязнения ( масла, жиры) удаляют путем промывки в нагретом трихлорэтилене с последующей обработкой в растворе щелочи с перекисью водорода. [12]
 |
Зависимость толщины пленки фоторезиста на основе продукта 83 и новолака от числа оборотов центрифуги при различных. [13] |
При нанесении тонких пленок фоторезиста ( менее 1 мкм) время центрифугирования не влияет на толщину пленки и 20 - 30 с оказывается достаточно. [14]
При нанесении тонких пленок путем термического испарения всегда применяют форсированный режим, чтобы снизить вредное влияние остаточных газов в рабочем объеме вакуумной установки. [15]
Страницы: 1 2 3 4