Cтраница 3
![]() |
Принципиальная схема вакуумного напыления тонких пленок.| Общий вид установки типа УВН-2М. [31] |
Общий вид промышленной установки, используемой при нанесении тонких пленок, показан на рис. 4.9. Наиболее широко используется установка типа УВН-2М-2, обеспечивающая предельный вакуум в рабочей камере 5 - 10 - 7 Па. Внут-рикамерное устройство этой установки содержит восьми-позиционную карусель масок и подложек. Привод, расположенный в верхней части рабочей камеры, может вращать карусель со скоростью 40 - 150 об / мин. На одной из позиций карусели устанавливается имитатор с закрепленными на нем датчиками контроля температуры и сопротивления пленки в процессе осаждения. На базовой плите монтируется пятипозиционная карусель резистивных испарителей. [32]
Наибольшее применение метод взрывного испарения находит при нанесении тонких пленок сплавов в микроэлектронике и при проведении различных исследований конденсатов из сплавов. [33]
В результате проведенных исследований обнаружено, что после нанесения тонких пленок на их поверхности образуются квазипериодические дефектные мезоетруктуры, проявляющиеся в виде гофра. [34]
В последнее время широко применяется просветление оптики ( нанесение тонких пленок на поверхности оптических деталей), уменьшающее отражательную способность поверхностей оптических деталей, что ведет к уменьшению рассеянного света. [35]
Требования, предъявляемые к вакуумным системам оборудования для нанесения тонких пленок, сформулированы в § 14.2, а принципиальное построение вакуумных систем во многом напоминает схемы вакуумных систем индивидуальных откачных постов. [36]
Шлюзовые системы указанного типа находят широкое применение для нанесения тонких пленок термическим и катодным распылением. В литературе имеются патенты и авторские свидетельства, в которых предложены те или иные варианты шлюзовых систем. Так, П. И. Бахур и Ю. А. Екимов [8 ] предлагают загрузочный механизм выполнять в виде ротора с расположенными по окружности гнездами для загрузки изделий. Авторы изобретения [ И ] для увеличения герметичности уплотнения поворотного шлюзового ротора предлагают выполнять его из самосмазывающегося материала с кольцевыми и полукольцевыми полостями, заполненными материалом типа вакуумной резины. Для обеспечения надежной работы шлюзового устройства А. Ю. Абеле [2] предлагает изготовлять затвор из эластичного материала в виде чулкообразной диафрагмы и укреплять его герметично по периметру корпуса в местах фланцевого соединения с вакуумной камерой. При этом полость, образованная корпусом и затвором, соединена с пневмосистемой, а затвор зажат в крайних точках горизонтального диаметра зажимами, связанными с рычажной системой, имеющей общий привод с пневмосистемой. [37]
Автором этой книги предложен, например, метод нанесения тонких пленок дисульфида молибдена на металлические поверхности путем обработки этих поверхностей специальным притиром, в пазы которого запрессована тщательно перемешанная масса из дисульфида молибдена MoS2 и клея БФ-2. [38]
![]() |
Пассивные элементы пленочных микросхем. с - резистор. б - конденсатор.| Схема подкол-пачного устройства установки вакуумного напыления. [39] |
На рис. 2.2 приведена упрощенная схема подколпач-ного устройства для нанесения тонкой пленки на подложку путем испарения материала в вакууме. [40]
Огромное значение для разделения методом капиллярной хроматографии имеет способ нанесения тонкой пленки на внутренние стенки капилляра. Задача состоит в том, чтобы обеспечить равномерность толщины пленки на всем протяжении колонки и исключить возможность образования непокрытых пленкой мест. В настоящее время применяют в основном два способа нанесения пленки жидкой фазы: способ продавливания и способ испарения. Оба способа требуют предварительного растворения наносимого вещества в летучем растворителе. [41]
Так например, перед никелированием целлофану придают каталитические свойства путем нанесения тонкой пленки из соединений палладия в восстановленной форме. [42]
Индий и его сплавы являются превосходными низкотемпературными припоями, особенно для нанесения тонких пленок металлов или полупроводников на стекло, кварц и керамику, даже в тех случаях, когда толщина металлических пленок составляет всего несколько ангстрем. Кроме того, обеспечивается хороший электрический контакт. Подлежащие пайке участки поверхности следует предварительно очищать. Для очистки стекла можно, как обычно, использовать хромовую смесь с последующим промыванием его водой ( см. § ЛО-4-il) либо применить отжиг. [43]
Если вещество при нормальных условиях является твердым, то мишень приготавливают путем нанесения тонкой пленки вещества на металлическую подложку. Необходимо стремиться к тому, чтобы пленка была по возможности тонкой и однородной по толщине; оптимальной считается толщина 0 1 - 0 2 мм. [44]
Достаточно упомянуть вакуумную плавку металлов, спекание порошков ряда металлов в вакууме, нанесение тонких пленок на твердых поверхностях, сушку под вакуумом, вакуумную разгонку жидких и твердых веществ, пропитку различных материалов в вакууме. Укажем, наконец, что исследования строения атома и атомного ядра, столь успешно завершившиеся практическим использованием атомной энергии, широко использовали успехи техники получения высокого вакуума. Можно сказать, что дальнейший технический прогресс находится в тесной связи с усовершенствованием техники получения высокого вакуума. [45]