Cтраница 4
В табл. 14.4 приведены принципиальные схемы вакуумных систем наиболее распространенных установок: для нанесения тонких пленок. Вакуумная система, выполненная по схеме 1 табл. 14.4, нашла применение-в установках для производства интегральных схем. [46]
При этом такие данные были получены авторами как при обычной методике измерения коэффициента диффузии ( нанесения тонкой пленки меди на образец Сп20), так и при нанесении радиоактивной меди на поверхность медной пластинки с последующим ее окислением. [47]
Коэффициент отражения света от поверхности стекла может быть снижен ( это просветление оптики) или увеличен путем нанесения тонкой пленки некоторых материалов, имеющих меньший коэффициент преломления, чем стекло. [48]
Материал контактной маски ( медь, алюминий, никель, окись висмута, фоторезист) должен выдерживать процесс нанесения тонкой пленки, не испаряясь и не взаимодействуя с осаждаемым материалом, обладать малым коэффициентом диффузии, легко удаляться с подложки способами, не влияющими на свойства материала тонкой пленки. [49]
Такой метод был разработан Кадоттом [67], который ранее изучил способы для переноса, а впоследствии - для непосредственного нанесения тонких пленок синтезированных полимеров на микропористую подложку. [50]
В области высокого вакуума ( 1 - lCh1 - 1 - 10 - 5 Па) - в установках нанесения тонких пленок, при исследованиях молекулярных пучков, в имитаторах космического пространства. [51]
Кроме того, широко применяют кислоты, растворители, травители, фоторезисты, пасты на основе металлов и их соединений для нанесения тонких пленок. В этом производстве требуются, как правило, высокочистые продукты. [52]
Метод нанесения покрытий путем испарения конечной навески сплава из одного источника является наиболее простым в практическом осуществлении, но применим для нанесения только тонких пленок в установках периодического действия, если упругости паров компонентов отличаются незначительно. [53]