Кристаллографическое направление

Cтраница 1

Основные кристаллографические направления ( а и плоскости ( б, в, г. [1]

Кристаллографические направления и плоскости принято обозначать индексами Миллера. Для определения индекса какого-либо направления следует найти координаты ближайшего к точке отсчета атома, лежащего на этом направлении, выраженные через параметр решетки. [2]

Кристаллографический и материальный повороты решетки. [3]

Кристаллографические направления и плоскости перейдут в двойниковую позицию, вызвав соответствующий контраст. [4]

Кристаллографическое направление, вдоль которого ориентируются спины для обеспечения минимума энергии анизотропии, принято называть направлением, или осью легкого намагничения. [5]

Расположение частиц в плоскости скола мусковита. [6]

Кристаллографические направления в плоскости подложки могут быть идентифицированы по ориентированным кристаллам осадка. [7]

Модель потенциальной функции. [8]

Кристаллографические направления, перпендикулярные соответствующим кристаллографическим плоскостям, обозначают теми же индексами, что и данную плоскость, но вместо круглых скобок пишутся квадратные скобки. Соответственно направления, идущие от начала координат в стороны, противоположные положительным направлениям, будут иметь отрицательный знак. Но имеются полупроводники, кристаллизующиеся в других системах. Например, теллур обладает тригональной ячейкой. В отличие от кубической, для тригональной и гексагональной элементарных ячеек принимается система кристаллографических символов, состоящая не из трех, а из четырех индексов Миллера. [9]

Схема установки для определения затухания фотопроводимости. 1 - светодиод ( или лазер. 2 - образец. 3 - усилитель. 4 - осциллограф. [10]

Кристаллографическое направление, по которому выращивают монокристаллы кремния, зависит от типа его кристаллической решетки, свойств кристаллографических плоскостей и особенностей тех полупроводниковых приборов, которые будут изготовлены на основе этого кремния. [11]

Кристаллографическое направление характеризуется индексами вектора, выходящего из начала принятой в кристаллической решетке системы координат, т.е. тремя целыми, взаимно простыми числами и, v и w, пропорциональными координатам любого узла кристаллической решетки, лежащего на этом направлении. Индексы направления записывают в одинарных квадратных скобках [ uvw ] и называют символом направления. [12]

Кристаллографические направления [100] у железа и [111] у никеля называются направлениями легкого намагничивания, поскольку состояние магнитного насыщения вдоль этих направлений достигается в минимальных магнитных полях; другие направления являются направлениями трудного намагничивания. [13]

Кристаллографическими направлениями являются прямые или лучи, выходящие из какой-нибудь точки отсчета, вдоль которых на определенном расстоянии друг от друга располагаются атомы. Могут быть и другие интересующие исследователей направления. [14]

Решетка вюрцита. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5