Кристаллографическое направление

Cтраница 2

Полярность кристаллографических направлений 111 обусловливает анизотропию ряда свойств и процессов, таких как травление, адсорбция, кристаллографическое совершенство граней и их микротвердость, рост кристаллов. Для объяснения наблюдаемых эффектов в соединениях AUIBV была предложена модель поверхностей А и В. Согласно этой модели атомы V группы, населяющие поверхности В, используют для установления связи с решеткой только три из имеющихся пяти валентных электронов и располагают таким образом двумя электронами, способными взаимодействовать с частицами внешней фазы. Атомы III группы, населяющие поверхности А, используют все три валентных электрона на установление связи с решеткой. Следовательно, поверхности В должны быть более реакционно-способны, чем поверхности А, что и наблюдается на практике, в частности при проведении процессов травления. [16]

Рентгенограммы порошка нитрида титана TIN ( а и пленок TiN, полученных химическим осаждением при соотношении исходных компонентов M ( TiCl4 / M ( NH3 0 87 ( б, в, 0 17 ( г и температуре осаждения Т 1100 ( б, 1200 ( в, 1400 ( г С. [17]

Для различных кристаллографических направлений размер зерен может быть неодинаковым, что отражает роль текстуры, т.е. преимущественно ориентированного расположения зерен. Это особенно часто наблюдается при интенсивной пластической деформации ( например, на рис. 2.5, б показана текстура ( 111, а также при получении пленок. [18]

Как обозначаются кристаллографические направления и плоскости. [19]

Схемы получения профилированных кристаллических изделий по способу Степанова. [20]

Если же важно кристаллографическое направление роста, то в этом случае ориентация затравки играет определяющую роль. [21]

Для обозначения кристаллографического направления принято пользоваться системой индексов, которые представляют собой обратные значения величин отрезков на координатных осях x y z, равных ребру элементарной ячейки и отсекаемых плоскостью, проведенной перпендикулярно данному направлению. [22]

Схема расположения направления прокатки их кристаллов в горячекатаной ориентация нарушена, стали. т. е. ребра кристаллов ку. [23]

Для обозначения кристаллографического направления принято пользоваться системой индексов. Эти индексы связаны с построением в осях координат кристаллографической решетки в виде объемно-центрированного куба. [24]

Индексы, применяемые для обозначения кристаллографических плоскостей. [25]

Для обозначения кристаллографических направлений и плоскостей пользуются специальными индексами. [26]

При треюш преимущественно кристаллографическим направлением сдвига считается одно из направлений скольжения, входящее в естественные данному типу кристаллической решетки системы скольжения. [27]

Зависимость тензочувствитель-ности от удельного сопротивления для кремния р - и л-типов в различных кристаллографических направлениях ( при 27 С. [28]

Тип материала, кристаллографическое направление, удельное сопротивление, количество и состав примесей - все это определяет свойства и характеристики полупроводниковых тензодатчиков. [29]

Базисные векторы определяют главные кристаллографические направления, в которых можно производить трансляции. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5