Cтраница 4
Значение, усредненное по кристаллографическим направлениям. [46]
Значение, усредненное по кристаллографическим направлениям. [47]
![]() |
Схема для измерения компонент тензора электропроводности на круглых плоских образцах.| Угловые зависимости U ( 1 и U ( 2. [48] |
Две плоскости образца вырезаются перпендикулярно основным кристаллографическим направлениям х, г, при измерениях зонды располагаются вдоль кристаллографических направлений. [49]
Обсуждается связь ширины с кристаллографическим направлением роста. [50]
![]() |
Анодные поляризационные кривые для меди. [51] |
Эти опыты показывают, что кристаллографическое направление не безразлично для протекания анодного процесса. [52]
В пространственной решетке рассматривают также кристаллографические направления. [53]
Многие свойства кристаллов зависят от кристаллографического направления, в котором производят измерения, так как пространственное расположение образующих кристалл атомов обычно не одинаково для всех направлений. Следовательно, при определении зависящей от направления характеристики на поликристаллическом образце, в котором кристаллиты ориентированы случайным образом, исследователь будет измерять усредненную характеристику, не проявляющую зависимости от направления. [54]
Формирование текстуры с предпочтительной ориентацией кристаллографических направлений типа [100] параллельно нормали к поверхности может вызываться включением системы скольжения 100 [111] при преимущественно сжимающем усилии, а возникновение ориентации 11111 связано с включением системы скольжения 112 [111] при увеличении контактной температуры и касательных усилий. Поэтому именно в указанных ориентировках и системах скольжения х-фазы важно оценить изменения под воздействием водных растворов ПАВ. [55]
![]() |
Стандартная стереографическая проекция для объемно-центрированных кубических кристаллов в направлении. [56] |
После индицирования следует найти выходы главных кристаллографических направлений. [57]
Полная намагниченность вещества, по определенным кристаллографическим направлениям может быть достигнута при приложении сравнительно небольших внешних полей. [59]
Спайность веществ ( разделение кристаллов параллельно определенному кристаллографическому направлению) исследована для большей части интересующих нас соединений. [60]