Кристаллографическое направление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Христос Воскрес! А мы остались... Законы Мерфи (еще...)

Кристаллографическое направление

Cтраница 4


Значение, усредненное по кристаллографическим направлениям.  [46]

Значение, усредненное по кристаллографическим направлениям.  [47]

48 Схема для измерения компонент тензора электропроводности на круглых плоских образцах.| Угловые зависимости U ( 1 и U ( 2. [48]

Две плоскости образца вырезаются перпендикулярно основным кристаллографическим направлениям х, г, при измерениях зонды располагаются вдоль кристаллографических направлений.  [49]

Обсуждается связь ширины с кристаллографическим направлением роста.  [50]

51 Анодные поляризационные кривые для меди. [51]

Эти опыты показывают, что кристаллографическое направление не безразлично для протекания анодного процесса.  [52]

В пространственной решетке рассматривают также кристаллографические направления.  [53]

Многие свойства кристаллов зависят от кристаллографического направления, в котором производят измерения, так как пространственное расположение образующих кристалл атомов обычно не одинаково для всех направлений. Следовательно, при определении зависящей от направления характеристики на поликристаллическом образце, в котором кристаллиты ориентированы случайным образом, исследователь будет измерять усредненную характеристику, не проявляющую зависимости от направления.  [54]

Формирование текстуры с предпочтительной ориентацией кристаллографических направлений типа [100] параллельно нормали к поверхности может вызываться включением системы скольжения 100 [111] при преимущественно сжимающем усилии, а возникновение ориентации 11111 связано с включением системы скольжения 112 [111] при увеличении контактной температуры и касательных усилий. Поэтому именно в указанных ориентировках и системах скольжения х-фазы важно оценить изменения под воздействием водных растворов ПАВ.  [55]

56 Стандартная стереографическая проекция для объемно-центрированных кубических кристаллов в направлении. [56]

После индицирования следует найти выходы главных кристаллографических направлений.  [57]

58 Магнитострикция X ния используется при про-поликристаллических ферромаг - изводстве трансформаторного нетиков в функции намагничен - железа ( прокаткой создают ности 4nJs текстуру, при которой на. [58]

Полная намагниченность вещества, по определенным кристаллографическим направлениям может быть достигнута при приложении сравнительно небольших внешних полей.  [59]

Спайность веществ ( разделение кристаллов параллельно определенному кристаллографическому направлению) исследована для большей части интересующих нас соединений.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5