Кристаллографическое направление

Cтраница 3

Для преобразования индексов кристаллографических направлений используются матрицы, обратные и транспонированные по отношению к приведенным выше. [31]

В зависимости от кристаллографического направления наблюдается анизотропия коэффициента диффузии. В этом случае говорят, что диффузия обладает структурной чувствительностью. [32]

Распределение температур в осевом ( Н и радиальном ( R направлениях в расплаве и слое флюса.| Выстраивание дислокаций по полосам скольжения в нижней части слитка. Отр. 220, пл. ( 111. Ув. Х8. [33]

Что касается влияния кристаллографического направления роста на степень совершенства монокристаллов GaP, то работы в этом направлении у нас только начинаются. Однако следует заметить, что в кристаллах GaP, выращенных в направлении 11Г, из всего многообразия присутствующих дислокаций превалируют 60 -ные. Это хорошо согласуется с найденной в [4] зависимостью дислокационной структуры кристаллов InSb от направления роста. [34]

Частицы кристалла размещаются вдоль разных кристаллографических направлений с различными интервалами. Если провести через узлы решетки различно ориентированные плоскости, как это изображено на рисунке 9.10 прямыми линиями, то окажется, что число частиц на выделенных плоскостях неодинаковое. Этим в основном обусловлена анизотропия кристаллов. Как видно из приведенного рисунка, плотно заселенные плоскости отстоят друг от друга дальше по сравнению с менее заселенными. Именно поэтому сила взаимодействия между такими плоскостями сравнительно невелика, и они легче отделяются друг от друга, чем менее заселенные плоскости. Этим объясняется тот факт, что кристаллы раскалываются по некоторым определенным плоскостям, которые называются плоскостями спайности. Плоскости изломов монокристаллов оказываются наиболее густо заселенными плоскостями. [35]

При приложении давления вдоль определенных кристаллографических направлений спектр изменяется. [36]

График изменения прочности при сжатии алмазов различных форм. [37]

Износостойкость алмазов по различным кристаллографическим направлениям колеблется в широких пределах, средняя же износостойкость в несколько раз выше износостойкости широко известных абразивных материалов - карбида кремния и карбида бора. Абразивная способность материала определяется отношением массы сошлифованного материала к массе израсходованного абразива. [38]

Угол поворота между кристаллографическими направлениями в микроскопическом изображении кристалла и соответствующими направлениями в дифракционной картине можно определить с помощью любого кристаллического объекта, имеющего известную кристаллографическую огранку ( габитус) или кристаллографически определенные детали видимой микроструктуры. Объекты первого типа - кристаллы МоО3 псевдоорторомбической структуры в виде плоских игл с длинным ребром вдоль [100] растут на крышке тигля при сгорании молибдена. При совмещении микрофотографии и электро-нограммы одного и того же кристалла ( совмещаются на негатоскопе3 негативы или их копии на кальке) измеряют угол между направлением ребра кристалла и соответствующим рядом рефлексов [100] на дифракционной картине. [39]

Использование понятий о кристаллографических направлениях и плоскостях и их индексов позволяет описывать различные явления, происходящие в кристаллических телах, а также особенности свойств кристаллических тел вдоль различных направлений и плоскостей. [40]

Холловская подвижность в различных кристаллографических направлениях также различна и изменяется по-разному при изменении температуры. [41]

Указанные на этом рисунке кристаллографические направления лежат в плоскости чертежа. Проведенный анализ ориентации пленок на таком образце подтвердил, что направление [0001] пленок почти параллельно таковому ( 111 подложки, которое образует с плоскостью среза подложки наибольший угол. [42]

II отмечалось, что кристаллографическое направление сдвига при растяжении монокристаллов поворачивается по мере увеличения степени деформации в направлении к оси растяжения до совпадения с ней ( при больших степенях деформации), а при сжатии - до совпадения с плоскостью, нормальной к направлению сжатия. Существенно, что после того, как определяется конечная устойчивая ориентация, она не изменяется под влиянием дальнейшей деформации. [43]

Схема кристалла после деформации растяжением.| Схемы переориентации решетки в кристаллах с помощью скольжения.| Различные участки золотой микропроволоки при сбросообразовании. [44]

Скольжение может происходить только вдоль определенных кристаллографических направлений и по определенным плоскостям. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5