Пропускное направление

Cтраница 1

Схематическое устройство селеновых и меднозакисных элементов в разрезе. [1]

Пропускное направление обозначают на корпусе диода стрелкой. [2]

Плотность носителей зарядов ( б, пространственный заряд ( в и распределение потенциала ( г на р-п переходе ( а. [3]

В пропускном направлении рекомбинация еосителей лишь в небольшой степени происходит в переходном слое, - большая часть рекомбинаций происходила до перехода и за ним. [4]

В пропускном направлении тока дырки из р-области и электроны из л-области движутся навстречу друг другу к плоскости OR, в запирающем - они расходятся от плоскости OR. Таким образом, в переменном поле толщина запирающего слоя то увеличивается, то уменьшается, что обеспечивает преимущественно одностороннюю проводимость выпрямляющей системы. [5]

Характеристика в пропускном направлении хорошо выражается уравнением ( 150) при не очень больших значениях FBH. [6]

Допустимая длительность кратковременных перегрузок селеновых выпрямителей в зависимости от кратности нагрузки. [7]

Падение напряжения в пропускном направлении при длительной эксплуатации выпрямителей необратимо возрастает. Это явление называется старением выпрямителей. Увеличение обратного тока при длительном хранении выпрямителей в обесточенном состоянии называется расформовкой. В отличие от старения расформовка - обратимый процесс, и величина обратного тока может быть восстановлена до первоначального значения. Расформовка значительно усиливается при хранении выпрямителей в условиях повышенной влажности. [8]

Схематическая конструкция фототранзистора ( а и зависимость 5 ( / (. / ( б. [9]

Переход включается в пропускном направлении. [10]

Левая батарея включена в пропускном направлении р - г-перехода, и от эмиттера к базе идет ток 1Ъ при сравнительно низком сопротивлении гп. [11]

При росте напряжения в пропускном направлении конденсатор заряжается через сравнительно небольшое сопротивление выпрямителя. Когда напряжение падает, конденсатор разряжается через нагрузку Ru. [12]

Левая батарея включена в пропускном направлении р - n - перехода, и от эмиттера к базе идет ток /, при сравнительно низком сопротивлении гп. [13]

При приложении поля в пропускном направлении ( U 0) высота барьера р ( 0) - - ро - eU уменьшается и поток электронов из полупроводника в металл резко возрастает. При запорном напряжении ( U - 0) высота барьера увеличивается и поток электронов из полупроводника уменьшается, а при - eU kT практически весь ток равен току электронов из металла и не зависит от приложенного напряжения. [14]

Сравним теперь токи в пропускном направлении. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5