Пропускное направление

Cтраница 5

Рассматривая работу выпрямителя с р-п-пороходом, мы видели, что при прохождении тока в пропускном направлении концентрация неосновных носителей вблизи р - - перехода значительно повышается. Эти избыточные носители, например дырки, перешедшие из р-области в / г, диффундируя, распространяются вглубь - области на расстояние, примерно равное диффузионной длине. В результате этого сопротивление части n - области, примыкающей к р - - переходу, понижается. Однако если в n - области имеется рядом с первым еще один р - - переход, включенный уже в запорном направлении ( рис. 29), то ток через этот р - - переход, определяемый концентрацией неосновных носителей - дырок, резко возрастает. [61]

Схемы включения транзисторов.| Пример включения транзистора в схему с общей базой. [62]

В цепи эмиттера ( эмиттер - база) внешний источник постоянного тока Бэ включается в пропускном направлении и этим контактная разность потенциало в уменьшается. [63]

Батарея бэ вклю - ии ииив ии вим и чена между эмиттером и основанием в пропускном направлении ( плюс на р-полупроводнике); под ее влиянием дырки из эмиттера перемещаются в основание. Затем эти дырки свободно проходят через запирающий слой между основанием и коллектором, поскольку, как уже отмечалось, для дырок n - полупроводника переход п - р является пропускным. В результате цепи батареТГБк возникает ток. [64]

Принцип действия модуляционного транзистора основан на модуляции проводимости высокоомной базовой области инжекцией носителей из включенного в пропускном направлении р - n - перехода. Между р - - переходом и высокоомной базовой областью расположена узкая область того же типа проводимости, что и база, но с высокой проводимостью. К этой области подсоединен третий вывод, который обычно подсоединяется к выводу от р - n - перехода через резистор требуемого номинала. Модуляционный транзистор во многих применениях используется как двухэлектродный прибор. В этом случае он аналогичен S-диоду с регулируемой утечкой р - - перехода. Роль регулируемой утечки играет сопротивление между контактами к р-и-переходу и к сильнолегированной области под ним. [65]

Рассматривая работу выпрямителя с р - га-переходом, мы видели, что при прохождении тока в пропускном направлении концентрация неосновных носителей вблизи перехода значительно повышается. Избыточные носители, например дырки, перешедшие из / ( - области в п-область, диффундируя, распространяются в глубь n - области. В результате сопротивление части n - области, примыкающей к р - и-переходу, понижается. Если концентрация неосновных носителей - дырок - при этом остается меньше концентрации электронов, то общее изменение сопротивления n - области остается небольшим, хотя концентрация дырок может увеличиться в тысячи раз по сравнению с равновесной. Если в л-области имеется рядом с первым еще один р - n - переход, включенный в запорном направлении ( рис. 56), то ток через него, определяемый концентрацией неосновных носителей - дырок, резко возрастает. [66]

Зависимости D ( 1, чувствительности Sv ( 2 и напряжения шумов иш ( 3 от напряжения смещения. [67]

ИФД представляет собой р - i-п-структуру ( рис. 5.25), на которую подается напряжение в пропускном направлении. [68]

А и вольтметра V нужно использовать в случаях, когда диод включен: а) в пропускном направлении; б) в запорном. [69]

Страницы: 1 2 3 4 5