Пропускное направление

Cтраница 2

Вольхамперные характеристики контакта металл - полупроводник. [16]

При приложении поля в пропускном направлении высота барьера р ( 0) ср0 - gV уменьшается и поток электронов из полупроводника в металл резко возрастает. При запорном напряжении высота барьера увеличивается и поток электронов из полупроводника уменьшается, и при - V kT практически весь ток равен току электронов из металл а и не зависит от приложенного напряжения. [17]

Is мало) и в пропускном направлении - большие токи и малые падения напряжения. Чтобы получить в прямом направлении малые падения напряжения н большие токи, базу делают тонкой, а площадь S большой. [18]

Электрическая схема установки для снятия вольт-амперных характеристик выпрямительных элементов. [19]

Так как сопротивление выпрямителя в пропускном направлении значительно меньше внутреннего сопротивления вольтметра, основной ток пойдет через выпрямитель и лишь малая его часть - через вольтметр. Очевидно, что при таком включении вольтметра делать измерения в запирающем направлении нельзя. Дело в том, что сопротивление выпрямителя в запирающем направлении значительно больше внутреннего сопротивления вольтметра. Следовательно, миллиамперметр регистрирует не тот ток, который протекает сквозь выпрямитель, а ток, текущий через вольтметр. [20]

При больших плотностях тока в пропускном направлении уровень инъекции достигает довольно больших значений. [21]

Принципиальная схема источника однофазного однополупериодного напряжения. [22]

Для определения падения напряжения в пропускном направлении и для измерения обратного тока пользуются определенными схемами. Основным элементом схем является источник однофазного однополупериодного напряжения. На рис. 10 дана принципиальная схема такого источника. [23]

Зависимость напряжения от тока в пропускном направлении определяет падение напряжения в элементе и, следовательно, потери в нем. [24]

Нельзя подавать на диоды напряжение в пропускном направлении даже от одного гальванического элемента без последовательно включенного ограничительного сопротивления, иначе диод может быть поврежден. [25]

Вольтамперная характеристика р-п-р-п структуры. [26]

J и / 3 смещаются в пропускном направлении, а центральный переход / г - в запорном направлении. [27]

Поскольку в обращенных диодах ток в пропускном направлении создается за счет туннельных переходов, они могут работать на более высоких частотах, чем обычные диоды. Обращенные диоды применяются для детектирования слабых сигналов порядка нескольких десятков милливольт. [28]

Вольтамперная характеристика р-п-р-п структуры. [29]

J и / 3 смещаются в пропускном направлении, а центральный переход / 2 - в запорном направлении. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5