Пропускное направление

Cтраница 3

В этом случае ( как и в пропускном направлении) концентрация электронов в зоне проводимости р-полупроводника остается неизменной пр. [31]

При малых изменениях напряжения, приложенного в пропускном направлении к I р - - переходу, сильно меняется ток электронов, текущий из эмиттера в базу. [32]

Разновидностью туннельных диодов являются обращенные диоды; в них пропускному направлению соответствует обратная ветвь вольтамперной характеристики, а непропускному - прямая. Обращенные диоды работают на более высоких частотах, чем обычные туннельные, и используются для детектирования слабых сигналов. [33]

Разновидностью туннельных диодов являются обращенные диоды, в которых пропускному направлению соответствует обратная ветвь вольтамперной характеристики, а непропускному - прямая. Обращенные диоды работают на более высоких частотах, чем обычные туннельные, и используются обычно для детектирования слабых сигналов. [34]

Схема включения - диода.| График изменения тока, протекающего через нагрузочное сопротивление. [35]

И наоборот, когда к диоду приложено напряжение в пропускном направлении, через сопротивление проходит большой ток, определяемый только внешним сопротивлением цепи. [36]

В рабочем режиме транзистора на эмиттер подано смещение в пропускном направлении ( низкое сопротивление), а на коллектор - в запирающем направлении ( высокое сопротивление) в соответствии с полярностью смещающих потенциалов. [37]

Если к р-и-иереходу внешняя разность потенциалов ф приложена в прямом, пропускном направлении, сила тока через / - / - пе-реход растет по экспоненте и при малых значениях достигает большого значения. На рис. 44.11 изображена вольт-амперная характеристика р-п-иерехода. [38]

Зависимость сопротивления диода от напряжения и тока.| Частотные характеристики детекторов. [39]

Прямая ветвь ( в пределах правого верхнего квадранта) соответствует пропускному направлению тока и прямой полярности напряжения, а обратная ( в пределах левого нижнего квадранта) - запорному направлению тока и обратному напряжению. Прямой ток достигает значительных величин при падениях напряжения на диоде 0 3 - 1 в. Обратный ток сначала медленно увеличивается при повышении обратного напряжения, но при достаточно высоком обратном напряжении наблюдается резкое нарастание обратного тока, обычно называемое пробоем. [40]

Зависимость оптической чувствительности кремниевого фототранзистора от уровня освещения [ 57 ]. [41]

Как известно, прохождение тока через р - тг-переход в пропускном направлении сопровождается рекомбинацией инъектированных неосновных носителей. Эта рекомбинация происходит либо в самом р - тг-переходе, либо вблизи него в узкой области, толщина которой определяется диффузионной длиной L. [42]

Характерным свойством селеновых выпрямителей является изменение величины падения напряжения в пропускном направлении и обратного тока в процессе эксплуатации и хранения. [43]

Устройство диодов.| Вольт-амперная ха рактеристика диода. [44]

Прямая ветвь характеристики / пр ф ( / Пр) соответствует пропускному направлению тока при прямой полярности приложенного напряжения. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5