Напряжение - насыщение
Cтраница 1
Напряжение насыщения база-эмиттер t / бан и коллектор - эмиттер / квн. В режиме насыщения оба р - - перехода транзистора находятся в проводящем состоянии. В этом режиме базовая область получает дополнительный заряд, создаваемый подвижными носителями. В режиме насыщения при включении и выключении транзистора необходимо дополнительное время для накопления и рассасывания избыточного заряда, что снижает скорость переключения. [1]
Напряжение насыщения - то напряжение на аноде лампы, которое при данном напряжении на-сетке соответствует установлению тока насыщения в анодной цепи. [2]
Напряжение насыщения - то напряжение на аноде лампы, которое при данном напряжении на сетке соответствует установлению тока насыщения в анодной цепи. [3]
Напряжение насыщения - напряжение на аноде лампы, которое при данном напряжении на сетке соответствует установлению тока насыщения в анодной цепи. [4]
Напряжение насыщения - то напряжение на аноде лампы, которое при данном напряжении на сетке соответствует установлению тока насыщения ( см.) в анодной цепи. [5]
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер t / кэнас невелико ( обычно 0 1 - 0 2 В) и в упрощенных расчетах ключей его принимают равным нулю. [6]
Напряжение насыщения Us и намагничивающий ток / т определяют вольт-амперную характеристику дросселя магнитного усилителя. [7]
Напряжение насыщения UKR измеряют между коллектором и эмиттером транзистора в режиме насыщения. В этом режиме коллекторный ток практически перестает возрастать при увеличении управляющего тока базы. В режиме насыщения базовая область получает дополнительный заряд, создаваемый подвижными носителями. При включении и выключении транзистора, работающего в режиме насыщения, необходимо дополнительное время для накопления и рассасывания избыточного заряда, что увеличивает время переключения. [8]
Напряжение насыщения ОУ принимается равным 10 В. [9]
Хотя напряжение насыщения может быть однозначно определено подобным способом, при массовом производстве приборов такая процедура измерения излишне сложна. Параметром перекрывания канала может также служить напряжение затвор-исток, необходимое для уменьшения тока стока до заданной величины, или же ток стока при заданных напряжениях затвора и стока. [10]
Поэтому напряжение насыщения неодинаково для различных частей катода. [11]
 |
Схема измерения 6 а1. [12] |
Если напряжение насыщения измеряется импульсным методом, то необходимо, чтобы базовый импульс начинался раньше, а заканчивался позже коллекторного. Кроме того, должны выполняться все требования, предъявляемые к измерению Вст 4 - 1 импульсным методом. [13]
Зависимость напряжения насыщения база - Эмиттер от тока коллектора. [14]
 |
Распределение напряженности электрического поля у поверхности полупроводника под затвором при напряжении на стоке, превышающем напряжение насыщения. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5