Cтраница 2
При напряжении насыщения t / синас происходит перекрытие канала около стока и дальнейшее увеличение напряжения на стоке вызываем очень малое увеличение тока стока. [16]
Уменьшается и напряжение насыщения, и напряжение пробоя. [17]
Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер Транзисторы биполярные. [18]
Для снижения напряжения насыщения применяют специальные меры. [19]
Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих Транзисторы биполярные высокочастотные генераторные. [20]
Считаем, что напряжение насыщения для операционных усилителей равно 10 В. [21]
Существенным параметром является напряжение насыщения между коллектором и эмиттером. В режиме насыщения потенциал базы становится более отрицательным, чем потенциал эмиттера и коллектора, поэтому напряжение UK ( UK6 - t / 63 очень мало, так как оно представляет собой сумму двух противоположных по знаку потенциалов. [22]
![]() |
Потенциал и поле в диоде с плоскими электродами при наличии пространственного заряда.| Распределение потенциала. [23] |
Если анодное напряжение меньше напряжения насыщения, то не все электроны преодолевают действие отталкивающих сил самого электронного потока; электроны, обладающие меньшими скоростями ( меньшей кинетической энергией), отталкиваются обратно на катод. [24]
Хотя напряжения, превышающие напряжение насыщения, ухудшают форму выходной волны, выходной момент двигателя обычно не уменьшается сколько-нибудь значительно. Ограничивать допустимые искажения заставляет нагревание двигателя, а не его поведение. Обычно это достигается подключением конденсатора к первичной обмотке выходного трансформатора, что дополнительно уничтожает вредные колебания в усилителе. Однако следует выбирать такие параметры, чтобы полоса пропускания усилителя не становилась слишком узкой и усилитель не получал некоторого запаздывания по времени. [25]
![]() |
Структура транзистора эпитаксиально. [26] |
Повышенное сопротивление коллектора увеличивает напряжение насыщения на коллекторе и снижает быстродействие переключательного трапзисщра. [27]
Если напряжение стока превышает напряжение насыщения, то ток стока при фиксированном значении напряжения затвора перестает зависеть от напряжения стока. [28]
![]() |
Структура транзистора эпитаксиально. [29] |
Повышенное сопротивление коллектора увеличивает напряжение насыщения на коллекторе и снижает быстродействие переключательного трапзисщра. [30]