Напряжение - насыщение
Cтраница 4
Из этого соотношения следует, что напряжение насыщения зависит от токов, задаваемых внешними цепями транзистора. [46]
При увеличении частоты питания пропорционально увеличивается напряжение насыщения Ua, и ток нагрузки в неуправляемой области уменьшается. [47]
 |
Сравнение R0 и Я / на участке насыщения. [48] |
Отношение тока насыщения 7, к напряжению насыщения Us определяет среднюю крутизну Scp tga характеристики лампы. [49]
Величина t / Hf приближенно равна напряжению насыщения транзистора Г 2 С к. [50]
Если необходимо применить трансформаторы тока с напряжением насыщения, меньшим, чем указано выше, то следует применить схему, использующую реле с торможением. [51]
Специфическими параметрами в области насыщения следует считать напряжение насыщения или так называемое остаточное напряжение насыщения, его зависимость от тока и коэффициента насыщения. Зная крайние значения UK3a, легко рассчитать его ориентировочную величину при 1 п оо. [52]
Это может оказаться выгодным, так как напряжение насыщения явным образом сгремится к нулю при малых токах стока. Существует общее представление о том, что МОП-транзисторы не насыщаются так же при больших токах, однако наши исследования показали, что это представление глубоко ошибочно. В табл. 3.6 мы выбрали несколько сравнимых пар ( биполярный и-р-л-транзистор и - канальный МОП-транзистор) и выписали для них паспортные данные по / Кэнас или ЛСИвкл. Слаботочный МОП-транзистор выглядит слабо в сравнении со своим биполярным собратом, однако в диапазоне 10 - 50 А, 0 - 100 В МОП-транзистор работает лучше. [53]
Другой важнейшей характеристикой силовых ключевых транзисторов является напряжение насыщения и его зависимость от режима работы схемы. Данное напряжение характеризует открытое состояние ключа, и его величина определяется положением рабочей точки силового транзистора в области насыщения на выходной характеристике. [54]
При определенном напряжении на стоке, называемом напряжением насыщения ( t / синас), плотность заряда электронов в канале у стока становится очень малой - происходит перекрытие канала. На рис. 5.5, в показано уменьшение толщины канала до нуля. [55]
К ели же падение напряжении Пудет значительно меньше напряжения насыщения, то неполностью будет использоваться JMHOCIIH катода. [56]
 |
Схема запирания регулирующего транзистора. [57] |
Максимальное падение напряжения на резисторе tR7 приближенно равно напряжению насыщения Т12, что практически составляет не более 0 5 - 1 В для германиевых транзисторов и не более 2 - 3 В для кремниевых. [58]
 |
Распределение поля и зарядов в МДП-транзисторе. [59] |
При некотором критическом напряжении на стоке, называемом напряжением насыщения, разность потенциалов между затвором и поверхностью на границе области стока становится равной нулю. В то же время в этой точке обращается в нуль напряженность электрического поля в диэлектрике и удельный заряд носителей в канале. Образуется так называемая горловина канала. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5