Напряжение - насыщение
Cтраница 3
Параметры большого сигнала - напряжение насыщения, статический коэффициент передачи, временные параметры переключения - используются при расчете ключевых схем и генераторов. [31]
 |
КОНСТРУКЦИЯ электродов ( а и вольт-амперная характеристика ( б ионизационной камеры. [32] |
При напряжении, равном напряжению насыщения, все образующиеся носители заряда достигают электродов и через камеру течет ток насыщения, не зависящий от величины приложенного напряжения. [33]
 |
Характеристики транзистора при работе на сопротивление нагрузки. [34] |
Нас являются токами и напряжением насыщения транзистора. [35]
Ктшдоп - называют также напряжением насыщения транзистора к.э. нас, оно приблизительно пропорционально / Кср. [36]
Напряжение икэ2 скачком падает до напряжения насыщения. [37]
На рис. 7.1.13 показана зависимость напряжения насыщения У. Отсюда следует, что в этих условиях осажденная величина цг для электронов достигает максимума. Атомы азота в a - Si: Н действуют как доноры, усиливающие вторичный фототок и увеличивающие время релаксации фотопроводимости. [39]
 |
Зависимость напряжения насыщения Vs от парциального давления азота в камере распыления р.| ВАХ a - Si. Н - видикона. Фототек измеряется при облучении светом дли. [40] |
На рис. 7.1.13 показана зависимость напряжения насыщения V, от парциального давления азота при осаждении пленок. Отсюда следует, что в этих условиях осажденная величина fir для электронов достигает максимума. Атомы азота в a - Si: Н действуют как доноры, усиливающие вторичный фототек и увеличивающие время релаксации фотопроводимости. [41]
 |
Схема для измерения напряжения.| Кривые напряжения питания ( а и намагничивающего тока до насыщения ( б и после насыщения ( в. [42] |
Когда напряжение питания станет равным напряжению насыщения, на заднем фронте кривой ( рис. 6 - 7) появятся два небольших выброса; при этом вольтметр на зажимах источника покажет значение напряжения насыщения. [43]
На начальном участке кривой ( до напряжения насыщения ( /), характеризующей зависимость тока в газе от напряжения ( рис. 2 - 2), выполняется закон Ома, при этом запас положительных и отрицательных ионов достаточный и его можно считать постоянным. Ток пропорционален напряжению на газовом промежутке. [44]
Важнейшей характеристикой открытого состояния ключа является напряжение насыщения. Изменение с температурой данного параметра определяет не только изменение потерь мощности в структуре прибора, но также теплоустойчивость ключа и его способность к токовым перегрузкам. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5