Напряжение - отсечка
Cтраница 1
Напряжение отсечки [ / зи ото - напряжение между затвором и истоком транзистора с р - - переходом или изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока / с достигает заданного низкого значения; токопроводящий канал при этом оказывается перекрытым. [1]
Напряжение отсечки выбирается равным падению напряжения на компенсационной обмотке от эталонного тока сравнения и J мгк. При перегрузке и во время разгона или торможения двигателя, при Iд / 5о, отрицательная обратная связь по току препятствует дальнейшему возрастанию тока двигателя. [2]
Напряжение отсечки ( 7ОТС - напряжение, равное отрезку ОС, отсекаемому на оси напряжений прямой, проходящей через две точки прямой ветви в. [3]
 |
Типовая вольт-амперная характеристика диода. [4] |
Напряжение отсечки U0 прямой ветви характеристики равно 0 1 - 0 5 В для Ge И 0 8 - 1 В для Si. Сопротивление гб для маломощных диодов не превышает 10 - 200 Ом. В то же время напряжения пробоя у различных диодов очень разные. Обычные ( выпрямительные) диоды имеют сравнительно высокие обратные напряжения. [5]
Напряжение отсечки транзистора t / зиотс соответствует ТОКу / с / Сост, МКА. [6]
Напряжение отсечки транзистора i / зиотс соответствует ТОКу / с / Сост, МКА. [7]
Напряжение отсечки тока анода по сетке управляющей измеряется при напряжении накала 6 3 в, напряжении анода 200 в, напряжении сетки катодной 5 в и токе анода 0 5 ма. Напряжение отсечки тока анода по сетке катодной измеряется при напряжении накала 6 3 в, напряжении анода 200 в, напряжении сеткн управляющей 10 в и токе анода 0 5 ма. [8]
Напряжение отсечки тока интегрирования не должно превышать 0 9 В. [9]
Напряжение отсечки электронного тока сетки - напряжение, которое необходимо приложить к сетке, чтобы электронный ток сетки при соединенных с катодом всех остальных электродах был равен заданному значению. [10]
 |
Принципиальная электрическая схема измерения запирающего напряжения третьей сетки. [11] |
Поэтому напряжение отсечки, измеренное в рабочем режиме лампы, характеризует реальную величину ее входного сопротивления. Однако поскольку в практике производства применяются специальные методы измерения термотока, утечки и ионного тока, в ряде технических условий и в ГОСТ предусмотрен такой режим измерения напряжения отсечки, при котором на сетку и дет только прямой электронный ток. [12]
Un есть напряжение отсечки ПТ с р - - переходом или пороговое напряжение затвора МОП-транзистора обогащенного типа, а t / си пр и зи пр - соответствующие напряжения пробоя. Как можно видеть, ПТ с заземленным истоком может быть хорошим источником тока, но нельзя точно предсказать, каким будет этот ток. Напряжение зи при заданном значении тока стока ( подобное Уъэ Для биполярного транзистора) может заметно варьировать. [13]
 |
Коммутируемый усилитель с ключом наПТ с р - n - переходом и с компенсацией вкл. [14] |
Благодаря малости напряжения отсечки схема будет работать при управляющем сигнале от нуля до 5 В, что удобно для работы с ТТЛ. Включение в инвертирующей схеме с присоединением истока TI к потенциальной земле ( суммирующая точка) упрощает работу схемы, так как нет колебаний сигнала на истоке TI во включенном состоянии; диод препятствует включению ПТ при положительных сигналах и запертом TI и не оказывает никакого действия при замкнутом ключе. Существуют р-канальные ПТ с р - п-перехо - Дом, включенные в удобных конфигурациях и по низким ценам. Например, среди схем IH5009 - IH5024 есть устройства в корпусе DIP с четырьмя входными ПТ и одним компенсаторным ПТ, имеющими вкл около 100 Ом, ценой меньше двух долларов. Если добавить ОУ и несколько резисторов, то получится четырехвходовый мультиплексор ( см - Разд. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5