Напряжение - отсечка
Cтраница 4
Важным параметром полевого транзистора является так называемое напряжение отсечки t / p - напряжение на затворе, при котором обедненная область перекрывает все сечение канала и ток стока падает до минимального значения, обусловленного утечками. [46]
Напряжение Vgs ( off) называется напряжением отсечки. С другой стороны, чем более положительно напряжение затвор-исток, тем больше размер канала, что приводит к увеличению тока. [47]
Это напряжение называется напряжением запирания или напряжением отсечки анодного тока Ua. [48]
 |
Схемы включения полевых транзисторов. [49] |
Для полевого транзистора с управляющим р-п переходом напряжение отсечки зависит от температуры зиотс. [50]
Напряжение сеточного смещения заметно больше, чем напряжение отсечки, так что анодный ток каждой лампы при отсутствии переменного сеточного напряжения равен нулю, а при подаче переменного сеточного напряжения он протекает в каждой лампе в течение части периода, которая меньше полупериода. [51]
При VcUoic, где UOTC, - напряжение отсечки, диод проводит в обратном направлении, и Uc быстро спадает до нуля. Эту составляющую погрешности можно устранить, если в момент окончания заряда конденсатора вместо источника входного сигнала подключить напряжение, превышающее Um - Разряд конденсатора будет происходить при запертом диоде. [52]
Следует, однако, отметить, что напряжение отсечки ДИ с твердым электролитом нередко оказывается невозможным устанавливать выше 0 6 В ввиду низкого напряжения разложения электролита. Поверхность рабочего электрода в этих ДИ покрыта пленкой золота. [53]
Следует отметить, что задержка является функцией напряжения отсечки используемых транзисторов и смещения р эмиттеров. При более отрицательном р время задержки т возрастает. Например, при 20 С для р О, R 5 ком и С 20000пф задержка равна т 240 мксек. [54]
В детекторе желательно применить полевой транзистор с напряжением отсечки, близким нулю. В противном случае на затвор надо подать постоянное смещение и подобрать его так, чтобы сопротивление канала транзистора в отсутствие входного сигнала составляло не менее нескольких килоомов. Практически смещение подбирается при работе детектора по максимуму его коэффициента передачи. [55]
 |
Сравнительные характеристики СИТ и БСИТ транзисторов. [56] |
Этого недостатка лишены БСИТ транзисторы, в которых напряжение отсечки технологическими приемами сведено к нулю. [57]
Запускающий импульс положительной полярности, амплитуда которого превышает напряжение отсечки входной характеристики транзистора Т, поступает на базу транзистора. [58]
Его величина автоматически ограничивается порогом, несколько большим напряжения отсечки, иначе анодный ток прекратится и Ua возрастет до первоначального значения. [59]
 |
Схемы стабилизации тока 7К. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5